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적어도 하나의 지연 셀을 가지는 링 전압 제어 발진기로, 상기 지연 셀은입력 신호를 반전하여 출력하는 인버터 부(inverter unit);상기 지연 셀의 동작 주파수를 설정하는 동작 주파수 설정 회로; 및상기 동작 주파수 설정 회로와 병렬로 연결되는 제1 전류원(current source)을 포함하며,상기 인버터는 PMOS(P-type Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터 및 다이오드 결선되어 상기 PMOS 트랜지스터와 병렬로 연결된 PMOS트랜지스터를 포함하고,상기 동작 주파수 설정 회로는, 상기 지연 셀이 동작하는 주파수를 설정하는 복수의 주파수 설정 브랜치들을 포함하며, 상기 주파수 설정 브랜치는 직렬로 연결된 동작 주파수 설정 스위치와 NMOS 전류원을 포함하며,상기 동작 주파수 설정 회로는 병렬로 연결된 복수의 상기 주파수 설정 브랜치들을 포함하는 링 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 인버터 부는 상보적으로 동작하는 인버터 쌍(inverter pair)을 포함하는 링 전압 제어 발진기
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제2항에 있어서,상기 인버터 쌍은,적어도 하나의 PMOS 트랜지스터와, 적어도 하나의 NMOS를 포함하며, 상기 PMOS 트랜지스터와 병렬로 연결된 다이오드 결선 PMOS트랜지스터를 포함하는 각각의 인버터가 상보적으로 동작하는 링 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 동작 주파수 설정 회로는, 복수의 동작 주파수에 상응하는 복수의 주파수 설정 브랜치들을 포함하며,주파수 설정 브랜치는,동작 주파수 설정 스위치와, 제2 전류원을 포함하는 링 전압 제어 발진기
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제4항에 있어서,상기 링 전압 제어 발진기는,복수의 동작 주파수 중 목적하는 동작 주파수에 상응하는 주파수 설정 브랜치에 포함된 제2 전류원이 제어되어 구동되는 링 전압 제어 발진기
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제4항에 있어서,상기 제2 전류원은 NMOS 트랜지스터 전류 싱크(current sink)로,NMOS 트랜지스터의 크기는 동작 주파수에 비례하는 링 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 제1 전류원은, 적어도 하나의 NMOS트랜지스터 전류 싱크(current sink)인 링 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 제1 전류원은, 동일한 신호로 제어되는 복수의 NMOS 트랜지스터가 직렬 또는 병렬로 연결된 링 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 제1 전류원은, 하나의 NMOS 트랜지스터인 링 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 링 전압 제어 발진기는, 상기 지연 셀 네 개가 캐스케이드로 연결된 링 전압 제어 발진기
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입력 신호에 대하여 소정의 지연 시간(delay time)을 두고 출력하는 적어도 둘 이상의 단위 지연 셀들;상기 단위 지연 셀들은 캐스케이드로 연결되며, 마지막에 배치된 단위 지연셀의 출력은 최초 단위 지연 셀의 상보적 입력으로 인가되며,상기 둘 이상의 단위 지연 셀들은, PVT 변동에 따른 동작 주파수 저하를 보상하는 전류원을 포함하고,상기 단위 지연 셀은입력 신호를 반전하여 출력하는 인버터 부(inverter unit) 및 상기 지연 셀의 동작 주파수를 설정하는 동작 주파수 설정 회로를 포함하며, 상기 인버터는 PMOS(P-type Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터 및 다이오드 결선되어 상기 PMOS 트랜지스터와 병렬로 연결된 PMOS트랜지스터를 포함하고,상기 동작 주파수 설정 회로는, 상기 지연 셀이 동작하는 주파수를 설정하는 복수의 주파수 설정 브랜치들을 포함하며, 상기 주파수 설정 브랜치는 직렬로 연결된 동작 주파수 설정 스위치와 NMOS 전류원을 포함하며,상기 동작 주파수 설정 회로는 병렬로 연결된 복수의 상기 주파수 설정 브랜치들을 포함하는 링 전압 제어 발진기
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제11항에 있어서,상기 전류원은, 적어도 하나의 NMOS트랜지스터 전류 싱크(current sink)인 링 전압 제어 발진기
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제11항에 있어서,상기 전류원은, 동일한 신호로 제어되는 복수의 NMOS 트랜지스터가 직렬 또는 병렬로 연결된 링 전압 제어 발진기
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제11항에 있어서,상기 전류원은, 하나의 NMOS 트랜지스터인 링 전압 제어 발진기
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