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연속흐름반응법을 이용한 화합물 태양전지용 ＣｕＩｎＳ２ 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190099
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연속흐름반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은 (i) 인듐 공급원을 사용하여 기판에 인듐을 증착시키는 단계 ; (ii) 구리 공급원 및 황 공급원을 마이크로 믹싱으로 혼합한 후 수욕상에 담구어 혼합물을 준비하는 단계; (iii) 인듐이 증착된 기판 상에 구리 공급원 및 황 공급원 혼합물을 연속흐름반응법(CFR법)을 이용하여 증착시키는 단계; 및 (iv) 증착된 박막을 질소 분위기 하에서 열처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 연속흐름반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0749 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020100011686 (2010.02.08)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1114685-0000 (2012.02.02)
공개번호/일자 10-2011-0092174 (2011.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류시옥 대한민국 경상북도 경산시
2 박미선 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0085103-57
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0240060-11
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0510292-50
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0510294-41
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0011196-30
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(i) 인듐 공급원을 사용하여 기판에 인듐을 증착시키는 단계;(ii) 구리 공급원 및 황 공급원을 마이크로 믹서로 혼합한 후 수욕상에 담구어 혼합물을 준비하는 단계;(iii) 인듐이 증착된 기판 상에 구리 공급원 및 황 공급원 혼합물을 연속흐름식 반응법(CFR법)을 이용하여 증착시키는 단계; 및 (iv) 증착된 박막을 진공 또는 질소 분위기 하에서 열처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 인듐 공급원은 염화인듐, 황산인듐, 인듐아세테이트 또는 인듐트리설파이드에서 선택되고, 상기 구리 공급원은 황산구리, 염화구리, 질산구리 또는 초산구리 수화물에서 선택되며, 상기 황 공급원은 치오우레아, 치오황산나트륨, 황화나트륨 또는 황화수소에서 선택되는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 CFR법을 이용한 증착 단계는 100-200℃에서 혼합물을 기판 상에 증착시키는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 CFR법을 이용한 증착 단계는 1-10 ml/초의 유속으로 혼합물을 기판 상에 증착시키는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 CFR법을 이용한 증착 단계는 1-10분 동안 혼합물을 기판 상에 증착시키는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법
6 6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 열처리 단계는 질소 분위기 하 100-600℃에서 1-3 시간 동안 열처리하는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.