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발광 다이오드 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2015190145
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 나노 구조체 캐핑 패턴을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조체가 제공된다. 상기 발광 구조체 상에 나노 구조체가 제공되고, 상기 나노 구조체를 덮는 나노 구조체 캐핑 패턴이 제공된다. 상기 나노 구조체 캐핑 패턴의 굴절률은 공기의 굴절률보다 크고 상기 나노 구조체의 굴절률보다 작다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/22 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020120035588 (2012.04.05) |
| 출원인 | 영남대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1309258-0000 (2013.09.10) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20130917) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.04.05) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 영남대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 경산시 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장자순 | 대한민국 | 대구 수성구 |
| 2 | 장선호 | 대한민국 | 경북 경산시 삼풍안길 |
| 3 | 김세민 | 대한민국 | 대구 수성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 지에이치엘 | 경기도 남양주시 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.04.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0273906-82 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.11.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.12.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0091822-85 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.03.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0171840-89 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0420991-92 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0420990-46 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.09.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0624414-45 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조체;상기 발광 구조체 상에 제공되고 나노 와이어들을 포함하는 나노 구조체; 및상기 나노 와이어들을 덮어 상기 나노 와이어들의 분리를 방지하는 나노 구조체 캐핑 패턴을 포함하고,상기 나노 구조체 캐핑 패턴의 굴절률은 공기의 굴절률보다 크고 상기 나노 구조체의 굴절률보다 작은 발광 다이오드 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체 캐핑 패턴은 서로 굴절률이 다른 복수의 층들을 포함하고, 상기 복수의 층들은 상기 나노 구조체와 접하는 층으로부터 공기와 접하는 층까지 굴절률이 점진적으로 감소되는 발광 다이오드 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체 캐핑 패턴은 금속 산화물을 포함하는 발광 다이오드 |
| 4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 금속 산화물은 MgO, SiO, BeO, Lu2O3, Ta2O5, Y2O3, Yb2O3, 및 Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체 캐핑 패턴은 Ni, Pd, Pt, Ti, Au, 및 Cu 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체 캐핑 패턴의 두께는 100~1000 옹스트롬인 발광 다이오드 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체 캐핑 패턴은 상기 나노 구조체의 상면 및 측면을 덮는 발광 다이오드 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체 상에 투명 전극층을 더 포함하고,상기 나노 구조체는 상기 투명 전극층의 표면에 제공되는 발광 다이오드 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체 상에 트렌치를 포함하는 투명 전극층을 더 포함하고,상기 나노 구조체는 상기 트렌치 내에 제공되는 발광 다이오드 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 상기 제 1 반도체층의 표면에 제공되는 발광 다이오드 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체 캐핑 패턴은 상기 제 1 및 제 2 전극들을 노출하는 발광 다이오드 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체와 접하는 금속 아일랜드들을 더 포함하는 발광 다이오드 |
| 13 |
13 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층들 사이에 제공되는 활성층을 포함하는 발광 구조체를 형성하는 것;상기 발광 구조체 상에 나노 와이어들을 포함하는 나노 구조체를 형성하는 것; 상기 나노 와이어들을 덮어 상기 나노 와이어들의 분리를 방지하는 나노 구조체 캐핑 패턴을 형성하는 것; 및 상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 상에 각각 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하고,상기 나노 구조체 캐핑 패턴의 굴절률은 공기의 굴절률보다 크고 상기 나노 구조체의 굴절률보다 작고, 상기 나노 구조체 캐핑 패턴은 상기 제 1 및 제 2 전극들보다 먼저 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 나노 구조체 캐핑 패턴을 형성하는 것은 서로 굴절률이 다른 복수의 층들을 증착하는 것을 포함하고, 상기 복수의 층들은 상기 나노 구조체와 접하는 층으로부터 공기와 접하는 층까지 굴절률이 점진적으로 감소되도록 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 13 항에 있어서, 상기 나노 구조체를 형성하는 것은:상기 발광 구조체 상에 금속 촉매층을 형성하는 것;상기 금속 촉매층을 열처리하여 금속 아일랜드들을 형성하는 것; 및상기 금속 아일랜드들을 씨드로 나노 와이어를 성장시키는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20150069440 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | WO2013151200 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2015069440 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | WO2013151200 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 영남대학교 산학협력단 | 산업기술연구기반구축 | LED-IT융합산업화연구센터 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1309258-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120405 출원 번호 : 1020120035588 공고 연월일 : 20130917 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130904 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 33/22 발명의 명칭 : 발광 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시... |
| 2 |
(권리자) 주식회사 지에이치엘 경기도 남양주시... |
| 2 |
(의무자) 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2013년 09월 11일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2016년 09월 12일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2017년 09월 04일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 207,200 원 | 2018년 12월 18일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 335,000 원 | 2019년 09월 05일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 335,000 원 | 2020년 09월 10일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.04.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0273906-82 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.11.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.12.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0091822-85 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2013.03.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0171840-89 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0420991-92 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0420990-46 |
| 7 | 등록결정서 | 2013.09.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0624414-45 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415131471 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10033630 |
| 연구과제명 | LED-IT융합산업화연구센터 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 산업통상자원부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200906~201405 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415127652 |
|---|---|
| 세부과제번호 | M002400013 |
| 연구과제명 | LED-IT융합산업화연구센터 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200906~201405 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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