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태양전지, 태양전지용 배면전극 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190165
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Cu(In,Ga)Se2 (이하 CIGS) 화합물박막 태양전지의 흡수층 물질인 CIGS를 제조함에 있어서, 배면전극 상에 형성되는 몰리셀레나이드 박막의 두께를 제어하는 방법에 대한 것이다. 태양전지, 태양전지용 배면전극 제조방법을 위하여, 기판; 상기 기판 상에 형성된 전극부; 및 상기 전극부 상에 형성된 CIGS 광흡수층;을 구비하고, 상기 전극부는, 상기 기판 상에 형성된 몰리브덴층; 상기 몰리브덴층 상에 형성된 몰리나이트라이드층; 및 상기 몰리나이트라이드층 상에 형성된 몰리셀레나이드층;을 포함하는 태양전지, 태양전지용 배면전극 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020140047999 (2014.04.22)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1559539-0000 (2015.10.05)
공개번호/일자 10-2015-0087775 (2015.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20151016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140007356   |   2014.01.21
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.22)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전찬욱 대한민국 대구광역시 수성구
2 김수현 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0382145-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0048232-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0414341-65
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0812513-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0812516-36
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0663559-84
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
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기판 및 상기 기판 상에 제 1 몰리브덴층, 확산방지층인 몰리나이트라이드층 및 제 2 몰리브덴층이 순차적으로 배치된 예비전극부를 구비하는, 태양전지용 배면전극을 제공하는 단계;상기 예비전극부 상에, 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga)을 포함하는, 예비광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 예비전극부 및 상기 예비광흡수층 상에 셀렌화(selenization)를 수행하는 단계;를 포함하고,상기 예비전극부 및 상기 예비광흡수층 상에 셀렌화를 수행하는 단계;는상기 셀렌화에 수반된 셀레늄(Se)과 상기 제 2 몰리브덴층이 반응하여 몰리셀레나이드층을 형성함으로써, 상기 예비전극부가 상기 제 1 몰리브덴층, 상기 몰리나이트라이드층 및 상기 몰리셀레나이드층이 순차적으로 배치된 전극부로 형성되는 단계; 및상기 셀렌화에 수반된 셀레늄(Se)이 상기 예비광흡수층과 반응함으로써, 상기 예비광흡수층이 CIGS 광흡수층으로 형성되는 단계;를 포함하며,상기 전극부는 상기 몰리나이트라이드층과 상기 몰리셀레나이드층의 사이에 개재되는 제 3 몰리브덴층을 더 포함하고, 상기 제 3 몰리브덴층은 상기 셀렌화가 수행되면서 상기 몰리나이트라이드층의 적어도 일부가 몰리브덴층으로 환원되어 형성되는,태양전지의 제조방법
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기판 및 상기 기판 상에 제 1 몰리브덴층, 확산방지층인 몰리나이트라이드층 및 제 2 몰리브덴층이 순차적으로 배치된 예비전극부를 구비하는, 태양전지용 배면전극을 제공하는 단계;셀레늄 분위기에서 상기 제 2 몰리브덴층으로부터 몰리셀레나이드층을 형성하는 단계; 및상기 예비전극부 상에 상기 셀레늄(Se) 분위기에서 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 몰리셀레나이드층을 형성하는 단계와 상기 광흡수층을 형성하는 단계는 동시에 수행되며,상기 광흡수층을 형성하는 단계;는상기 셀레늄과 상기 제 2 몰리브덴층이 반응하여 몰리셀레나이드층을 형성함으로써, 상기 예비전극부가 상기 제 1 몰리브덴층, 상기 몰리나이트라이드층 및 상기 몰리셀레나이드층이 순차적으로 배치된 전극부로 형성되는 단계;를 포함하며,상기 전극부는 상기 몰리나이트라이드층과 상기 몰리셀레나이드층의 사이에 개재되는 제 3 몰리브덴층을 더 포함하고, 상기 제 3 몰리브덴층은 상기 광흡수층을 형성하면서 상기 몰리나이트라이드층의 적어도 일부가 몰리브덴층으로 환원되어 형성되는,태양전지의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 대구경북과학기술원 신재생에너지융합원천기술개발사업 초저가 금속원소를 이용한 고효율(14.5%) CZTS 화합물 박막태양전지 개발