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태양전지 광흡수층 제조방법, 태양전지 광흡수층 및 태양전지

  • 기술번호 : KST2015190183
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 인체에 위해한 H2Se나 가격이 높은 DESe를 사용하지 않고 순수한 셀레늄 증기를 이용한 셀렌화 공정을 효율적으로 수행할 수 있는 태양전지 광흡수층 제조방법, 이러한 제조방법에 의해 제조된 태양전지 광흡수층 및 이를 포함하는 태양전지를 제공하는 것이다본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 상에 금속전구체층을 증착하는 단계; 및 상기 금속전구체층 상에 셀레늄을 증착하는 단계;를 포함하고, 상기 각 단계들은, 상기 기판을 챔버 내에서 회전이송하면서 수행하는, 태양전지 광흡수층 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110017061 (2011.02.25)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1275156-0000 (2013.06.10)
공개번호/일자 10-2012-0097695 (2012.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전찬욱 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0138790-59
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0017700-05
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0148344-99
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0166622-09
5 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2011.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0168660-70
6 보정요구서
Request for Amendment		 2011.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0020424-79
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005489-23
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0257490-51
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0495817-67
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0611439-01
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0611440-47
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0762465-21
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0073489-32
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0073488-97
16 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0392099-24
17 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0511416-73
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 구리-인듐-갈륨을 포함하는 합금층인 금속전구체층을 스퍼터링으로 형성하는 단계; 및상기 금속전구체층 상에 셀레늄을 증발시켜 증착하는 단계;를 포함하고,상기 금속전구체층을 형성하는 단계는제1인듐 타겟을 이용하여 제1인듐층을 형성하는 단계;상기 제1인듐층 상에 구리-갈륨 합금 타겟을 이용하여 구리-갈륨 합금층을 형성하는 단계; 및 상기 구리-갈륨 합금층 상에 제2인듐 타겟을 이용하여 제2인듐층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 각 단계들은, 동일한 회전방향으로 소정의 회전각도를 가지고 상기 제1인듐 타겟, 구리-갈륨 타겟 및 제2인듐 타겟의 순서로 이격 배치되고, 상기 셀레늄을 증발시키는 증발기는 상기 타겟에 비해 하부에 설치된 챔버 내에서 상기 기판을 회전이송하면서 수행하는, 태양전지 광흡수층 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속전구체층 형성하는 단계와 상기 셀레늄을 증착하는 단계는 상기 기판의 회전이송을 반복함으로써 복수 회로 수행하는, 태양전지 광흡수층 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 기판의 회전이송의 회전수를 조절하여 상기 태양전지 광흡수층의 두께를 조절하는, 태양전지 광흡수층 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제1항에 있어서, 상기 기판의 회전이송의 회전 각각 마다 상기 타겟에 인가되는 전력 또는 회전속도를 조절하여 상기 금속전구체층의 두께 방향에 따른 조성을 변화시키는, 태양전지 광흡수층 제조방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 셀레늄을 증착하는 단계는 상기 기판을 소정의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는, 태양전지 광흡수층 제조방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 기판이 상기 셀레늄의 증착원에 대향될 때 상기 기판을 가열하는, 태양전지 광흡수층 제조방법
16 16
제1항, 제3항, 제4항, 제13항, 제14항 및 제15항 중 어느 하나의 항에 따른 제조방법에 의해 제조된, 태양전지 광흡수층
17 17
제16항의 태양전지 광흡수층을 포함하는, 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.