맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

질화물계 반도체 기반 열전소자가 집적된 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190206
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서는 질화물계 열전층을 포함하여 반도체 발광 소자에서 발생되는 열을 효율적으로 제거하거나 냉각함으로써 발광소자의 효율 및 신뢰성을 향상시키고, 발광소자에서 발생된 열을 이용하여 전력을 재생산하고(Seebeck effect), 이를 발광소자로 재주입함으로써 에너지활용 효율을 극대화할 수 있는 GaN 반도체 기반의 열전소자가 집적된 반도체 발광 소자를 제공한다.이를 위해, 일 실시예에 따른 GaN 반도체 기반의 열전소자가 집적된 반도체 발광 소자는, 발광 구조물 및 상기 발광 구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되는 질화물계 열전층을 포함하되, 상기 발광 구조물은, n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어; p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어 및 활성층을 포함하되, 상기 활성층은 상기 제 1 레이어 및 제 2 레이어의 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/04 (2014.01)
CPC H01L 33/645(2013.01) H01L 33/645(2013.01) H01L 33/645(2013.01) H01L 33/645(2013.01) H01L 33/645(2013.01)
출원번호/일자 1020110055282 (2011.06.08)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1240277-0000 (2013.02.28)
공개번호/일자 10-2012-0136207 (2012.12.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.08)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박일규 대한민국 경상북도 경산시 대학로**길 *

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0431346-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047025-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0468034-48
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0805103-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0805101-24
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0117831-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 구조물; 및상기 발광 구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되는 질화물계 열전층을 포함하되,상기 발광 구조물은,n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어;p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어; 및활성층을 포함하되, 상기 활성층은 상기 제 1 레이어 및 제 2 레이어의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서,적어도 하나의 전극을 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 전극은 상기 질화물계 열전층에 연결되는 것인 반도체 발광소자
3 3
제 2항에 있어서,상기 적어도 하나의 전극은 상기 질화물계 열전층의 일 측면 또는 양 측면에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 질화물계 열전층 및 상기 발광구조물은 에피성장을 통하여 순차적으로 기판 위에 형성되는 것인 반도체 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 질화물계 열전층은,n형 또는 p형의 AlxInyGa1-x-yN 박막구조, n형 또는 p형의 AlxInyGa1-x-yN 초격자(superlattice) 구조, n형 또는 p형의 AlxInyGa1-x-yN 퀀텀 웰(quantum well) 구조, n형 또는 p형의 AlxInyGa1-x-yN 나노로드(nanorod) 구조 및 n형 또는 p형의 AlxInyGa1-x-yN 퀀텀 닷(quantum dot) 구조 중 적어도 하나인 것인 반도체 발광소자
6 6
제1항에 있어서,상기 질화물계 열전층 및 상기 발광구조물 사이를 절연시키는 질화물계 반도체층을 더 포함하며, 상기 질화물계 반도체층은 상기 질화물계 열전층 및 상기 발광구조물 사이에 형성되는 것인 반도체 발광소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 질화물계 반도체층은,도핑이 되지 않는 질화물계 반도체층(undoped - AlxInyGa1-x-yN)층인 것인 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.