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CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법

  • 기술번호 : KST2015190262
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIS계 박막태양전의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법에 관한 기술로서, 2개의 전구체층 사이에 Na 박막층이 위치하도록 한 후, RTP를 통한 짧은 반응 시간 동안의 셀렌화 반응을 통하여 단일상의 CIS계 광흡수층이 형성되는 동시에 Na이 상기 단일상의 CIS계 광흡수층에 도입되도록 하는 기술에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020130003013 (2013.01.10)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0088482 (2014.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120157842   |   2012.12.31
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우경 대한민국 대구 수성구
2 김성철 대한민국 대구 달서구
3 구자석 대한민국 경북 의성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0027404-50
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0051734-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0011508-79
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0189615-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0447173-72
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0556856-71
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0662073-47
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0751366-85
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0751365-39
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0892210-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법에 있어서, 기판에 형성된 배면전극 위에 상기 CIS계 광흡수층을 제조하기 위한 제1전구체층을 형성하는 단계;상기 제1전구체층 위에 Na 박막층을 형성하는 단계;상기 Na 박막층 위에 상기 CIS계 광흡수층을 제조하기 위한 제2전구체층을 형성하는 단계; 및상기 Na 박막층이 중간에 게재된 전구체층을 Se 및 S 중의 어느 하나 이상이 공급되는 분위기 하에서 RTP(Rapid Thermal Process)를 통한 셀렌화를 통해 단일상의 CIS계 광흡수층의 생성과 동시에 상기 Na 박막층으로부터 Na이 상기 단일상의 CIS계 광흡수층으로 도입되도록 하는 RTP를 통한 셀렌화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법
2 2
제1항에서, 상기 제1전구체층 및 제2전구체층은 Se을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법
3 3
제2항에서, 상기 제1전구체층 및 제2전구체층은 S를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법
4 4
제1항에서, 상기 기판은 나트륨을 포함하지 않는 SFG(Sodium Free Glass)인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법
5 5
제1항에서, 상기 배면전극은 Mo 전극인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법
6 6
제1항에서, 상기 제1전구체층 및 제2전구체층 세트로, InSe/CuSe, In2Se3/Cu2Se, In2Se3/CuSe, (InGa)2Se3/Cu2Se, (InGa)2Se3/CuSe, (InGa)Se/CuSe 또는 CuInSe2/CuGaSe2 인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법
7 7
제1항에서, 상기 Na 박막층이 NaF, Na2Se, Na2S, Cu:Na(Na-doped Cu), In:Na(Na-doped In) 또는 CuGa:Na(Na-doped CuGa)인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 광흡수층에 Na을 도입하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 영남대학교 산학협력단 대경 태양전지/모듈 소재공정 지역혁신센터사업 대경 태양전지/모듈 소재공정 지역혁신센터과제
2 교과부 영남대학교 산학협력단 원천기술개발사업 CIGS 박막성장 메커니즘에 관한 연구