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도핑된 ＺｎＯ 층을 포함하는 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190280
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서는 기결정된 도펀트(dopant)로 도핑된 ZnO 층을 형성시키고 상기 도핑된 ZnO층의 도펀트(dopant)의 종류 및 농도를 조절하여, 발광파장이 전 가시광 영역(420 ~ 650 nm)내에서 제어될 수 있는 도핑된 ZnO 층을 구비하는 반도체 발광 소자를 제공한다.이를 위해, 일 실시예에 따른 도핑된 ZnO 층을 구비하는 반도체 발광 소자는 발광 구조물; 및 상기 발광구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되고, 기결정된 도펀트(dopant)로 도핑된 ZnO 층을 포함하되, 상기 발광 구조물은, n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어; p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어; 및 활성층을 포함하되, 상기 활성층은 상기 제 1 레이어 및 제 2 레이어의 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/38 (2014.01) H01L 33/28 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/285(2013.01) H01L 33/285(2013.01) H01L 33/285(2013.01) H01L 33/285(2013.01) H01L 33/285(2013.01) H01L 33/285(2013.01)
출원번호/일자 1020130057387 (2013.05.21)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1280866-0000 (2013.06.26)
공개번호/일자 10-2013-0058717 (2013.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0055280 (2011.06.08)
관련 출원번호 1020110055280
심사청구여부/일자 Y (2013.05.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박일규 대한민국 경상북도 경산시 대학로**길 **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0448799-76
2 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0415911-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
1 1
발광 구조물; 및상기 발광구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되고, 기결정된 도펀트(dopant)로 도핑된 ZnO 층을 포함하되,상기 발광 구조물은,n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어, p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어 및 활성층을 포함하고, 상기 활성층은 상기 제 1 레이어 및 제 2 레이어의 사이에 형성되고,상기 도핑된 ZnO층은,서로 다른 도펀트로 도핑된 복수의 ZnO 나노로드 또는 복수의 ZnO 박막층이 수평방향으로 교대로 배치되어 형성되고,상기 도핑된 ZnO층의 하부 또는 상부에 위치하는 층은,기결정된 제 1 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 발광 구조물의 상부 또는 하부에 위치하는 사파이어 기판 및 투명 전극 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 기결정된 제 1 패턴을 구비하는 층은,상기 제 1 레이어, 상기 제 2 레이어, 상기 사파이어 기판 및 상기 투명 전극 중 적어도 하나인 것인 반도체 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 기결정된 제 1 패턴은,V-그루브(groove) 형태, 트랜치(Trench) 형태 및 렌즈(Lens) 형태 중 적어도 하나의 형태가 기결정된 간격으로 배열되어 있는 패턴인 것인 반도체 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 복수의 박막층은,기결정된 제 2 패턴을 구비하는 것인 반도체 발광소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 기결정된 제 2 패턴은,V-그루브(groove) 형태, 트랜치(Trench) 형태 및 렌즈(Lens) 형태 중 적어도 하나의 형태가 기결정된 간격으로 배열되어 있는 패턴인 것인 반도체 발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 기결정된 도펀트는,V, Ce, W, Y, Eu, Tb, Dy 및 Er 중 적어도 하나인 것인 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020120136205 KR 대한민국 FAMILY

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