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n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어, p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어 및 상기 제 1 레이어 및 상기 제 2 레이어의 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되고, 반도체 나노결정 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전극층; 및 상기 발광 구조물 및 상기 투명 전극층 사이에 삽입되어 상기 투명 전극층의 전기전도도를 증가시키는 적어도 하나의 금속 나노 와이어를 포함하고, 상기 금속 나노 와이어는, Ag, Cu, Al, Cr, Ni, Zn, Co, Fe, Mn, V, Ti, Zr, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, In, Sn, Pt, Ir, S, Re, W, Ta, Hf 및 Au 중 적어도 하나의 물질로 이루어지며,상기 반도체 나노결정은 제 1 물질로 이루어진 코어와, 상기 코어를 둘러싸도록 형성되고, 제 2 물질로 이루어진 쉘을 포함하고, 상기 제 1 물질은 CdSe, CdTe, CdS, InP 및 PbSe 중 적어도 하나이고, 상기 제 2 물질은 ZnS, ZnSe 및 CdS 중 적어도 하나이며,상기 활성층으로부터 발광된 빛과 상기 반도체 나노결정으로부터 재발광된 빛이 결합하여 결합광을 방출시키며,상기 반도체 나노결정의 종류 및 크기를 제어함으로써 상기 반도체 나노결정의 발광파장을 450 ~ 700nm 의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은,CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbSe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb,InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, PbS, PbTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, Si, Ge, SiC 및 SiGe 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자는,polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, polyaniline, 3,4-ethylenedioxythiophene, thienylene vinylene 및 polyaniline 중 적어도 하나를 포함하는 것인 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극층은,제 1 패턴을 구비하는 것인 반도체 발광소자
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제9항에 있어서, 상기 제 1 패턴은,V-그루브(groove) 형태, 트랜치(Trench) 형태 및 렌즈(Lens) 형태 중 적어도 하나의 형태가 기결정된 간격으로 배열되어 있는 패턴인 것인 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극층은,제 2 패턴을 구비하는 층 위에 형성되고,상기 제 2 패턴을 구비하는 층은,상기 제 1 레이어 및 상기 제 2 레이어 중 적어도 하나인 것인 반도체 발광소자
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제11항에 있어서, 상기 제 2 패턴은,V-그루브(groove) 형태, 트랜치(Trench) 형태 및 렌즈(Lens) 형태 중 적어도 하나의 형태가 기결정된 간격으로 배열되어 있는 패턴인 것인 반도체 발광 소자
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