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챔버 내의 기판으로 루테늄 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버로부터 상기 루테늄 함유 전구체를 퍼지하는 단계;상기 기판으로 반응 가스를 공급하는 단계;상기 챔버로부터 상기 반응 가스를 퍼지하는 단계; 및증착된 루테늄 박막을 암모니아 또는 수소 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 열처리에 의해 상기 루테늄 박막의 비저항이 절반 이하로 감소하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 챔버 내의 압력은 50 Torr보다 큰 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리 하는 단계 이후에, 상기 루테늄 박막의 비저항은 50 μΩ·cm보다 작은 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리 하는 단계는, 300 ℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 챔버 내의 온도는 230 ℃ 내지 270 ℃의 범위인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제5 항에 있어서,상기 온도 범위에서 상기 루테늄 함유 전구체 또는 상기 반응 가스의 공급 시간이 증가함에 따라 상기 루테늄 박막의 두께가 포화(saturation)되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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7
제1항에 있어서,상기 단계들을 순차적으로 1회씩 수행하는 것을 하나의 증착 사이클이라 할 때, 상기 루테늄 박막 형성의 잠복 기간(incubation period)은 10회의 증착 사이클보다 작은 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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8
제1항에 있어서,상기 루테늄 함유 전구체는 dicarbonylbis(5-methyl-2,4-hexanedionato) Ru, bis(cyclopentadienyl) Ru(Ⅱ), bis(ethylcyclopentadienyl) Ru(Ⅱ), bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedinonato)(1,5-cyclooctadiene) Ru(Ⅲ), (methylcyclopentadienyl)(Pyrrolyl) Ru(Ⅱ) 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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챔버 내의 기판으로 루테늄 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버로부터 상기 루테늄 함유 전구체를 퍼지하는 단계;상기 기판으로 반응 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버로부터 상기 반응 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고, 상기 루테늄 함유 전구체는 dicarbonylbis(5-methyl-2,4-hexanedionato) ruthenium이고, 상기 반응 가스는 상기 루테늄 함유 전구체를 환원시키는 산소 비함유 가스인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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