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일면 상에 그래핀을 포함하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판과 이격되어 상기 그래핀 상부에, p 타입 도판트, n 타입 도판트 및 전이금속 도판트 중 어느 하나 이상의 도판트를 함유하는 하나 이상의 코팅층이 형성된 도핑용 부재를 배치시키는 단계; 및상기 그래핀과 상기 도핑용 부재를 이격시킨 상태에서 열처리를 수행함으로써, 상기 도판트를 상기 그래핀으로 공급하는 단계;를 포함하는, 그래핀의 저온 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀은,상기 p 타입 도판트, 상기 n 타입 도판트 또는 전이금속 도판트를 포함함에 따라, n-형 반도체, p-형 반도체 또는 전이금속이 도핑된 그래핀으로 형성되는, 그래핀의 저온 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 코팅층은, p 타입 도판트 및 n 타입 도판트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 도판트로 포함하는, 제 1 코팅층; 및상기 제 1 코팅층의 도판트와 같은 타입이나 상기 제 1 코팅층의 도판트와는 다른 물질을 도판트로 포함하는, 제 2 코팅층;을 포함하는, 그래핀의 저온 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 코팅층은, p 타입 도판트 및 n 타입 도판트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 도판트로 포함하는, 제 1 코팅층; 및전이금속으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는, 제 2 코팅층;을 포함하는, 그래핀의 저온 도핑방법
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제1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p 타입 도판트는 Zn, Al, B, Cd, Ga 및 In으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하며, 상기 n 타입 도판트는 N, P, As, S, Se, Sb 및 Te으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는, 그래핀의 저온 도핑방법
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제4항에 있어서,상기 전이금속 도판트는 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg 으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는, 그래핀의 저온 도핑방법
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7
제1항에 있어서, 상기 도핑용 부재는 지지부재의 일면 상에 상기 하나 이상의 코팅층이 형성된 것인, 그래핀의 저온 도핑방법
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제7항에 있어서,상기 하나 이상의 코팅층은 상기 지지부재의 일면 상에 상기 도판트들을 포함하는 전구체를 스핀코팅법 또는 스프레이코팅법으로 코팅하여 제조한 것인, 그래핀의 저온 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 코팅층은,단일의 코팅층에 n 타입 도판트를 포함하는 영역과 p 타입 도판트를 포함하는 영역이 서로 교호적으로 배열되도록 형성된 것인, 그래핀의 저온 도핑방법
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10
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 코팅층은,단일의 코팅층에 제 1 도판트를 포함하는 영역과 상기 제 1 도판트와 같은 타입이면서 다른 물질인 제 2 도판트를 포함하는 영역이 서로 교호적으로 배열되도록 형성된 것인, 그래핀의 저온 도핑방법
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11
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 코팅층은,단일의 코팅층에 n 타입 도판트 또는 p 타입 도판트를 포함하는 영역과 전이금속을 포함하는 영역이 서로 교호적으로 배열되도록 형성된 것인, 그래핀의 저온 도핑방법
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제9항에 있어서,상기 n 타입 도판트를 포함하는 영역 및 p 타입 도판트를 포함하는 영역 중 어느 하나 이상은 각각 소정의 주기를 가지고 배열되는, 그래핀의 저온 도핑방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 450℃ 내지 550℃의 저온에서 수행하는, 그래핀의 저온 도핑방법
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