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챔버 내의 기판으로 루테늄 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버로부터 상기 루테늄 함유 전구체를 퍼지하는 단계;상기 기판으로 반응 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버로부터 상기 반응 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고, 상기 반응 가스는 상기 루테늄 함유 전구체를 환원시키는 환원 가스이고, 형성된 루테늄 박막은 결정질 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 챔버 내의 압력은 상기 루테늄 박막이 결정질로 증착되는 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제2 항에 있어서,상기 챔버 내의 압력은 200 Torr 이상인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 루테늄 박막의 비저항은 50 μΩ·cm보다 작은 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 반응 가스는 산소 비함유 가스인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 반응 가스는 암모니아(NH3) 가스 또는 수소(H2) 가스인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 루테늄 함유 전구체는 dicarbonylbis(5-methyl-2,4-hexanedionato) Ru, bis(cyclopentadienyl) Ru(II), bis(ethylcyclopentadienyl) Ru(II), bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedinonato)(1,5-cyclooctadiene) Ru(Ⅲ), (methylcyclopentadienyl)(Pyrrolyl) Ru(II) 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 챔버 내의 온도는 230 ℃ 내지 270 ℃의 범위인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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챔버 내의 기판으로 루테늄 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버로부터 상기 루테늄 함유 전구체를 퍼지하는 단계;상기 기판으로 반응 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버로부터 상기 반응 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고, 상기 챔버 내의 압력을 조절하여 루테늄 박막이 결정질로 증착되도록 하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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제9 항에 있어서,상기 챔버 내의 압력이 증가함에 따라 상기 루테늄 박막의 비저항이 감소하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 루테늄 박막 형성 방법
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