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태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190436
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Cu(In,Ga)Se2 (이하 CIGS) 화합물박막 태양전지의 흡수층 물질인 CIGS를 제조함에 있어서, 씨드층을 사용해 배면전극 상에 형성되는 몰리셀레나이드 박막의 두께를 제어하고, CIGS 광흡수층의 결정성장 방향을 제어하여 고효율의 태양전지 제조방법에 대한 것이다. 태양전지 제조방법을 위하여, 기판 및 상기 기판 상에 몰리브덴층을 포함하는 태양전지용 예비전극부를 구비하는, 태양전지용 배면전극을 제공하는 단계; 상기 몰리브덴층을 포함하는 태양전지용 예비전극부 상에, 결정배향성을 가지는, CIGS 씨드층을 형성하는 단계; 상기 CIGS 씨드층 상에 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 예비광흡수층을 형성하는 단계; 및 셀렌화에 수반된 셀레늄(Se)이 상기 예비광흡수층과 반응함으로써, 상기 CIGS 씨드층과 예비광흡수층이 상기 결정배항성과 동일한 결정배향성을 가지는 CIGS 광흡수층으로 형성되는, 상기 셀렌화를 수행하는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01)H01L 31/18(2013.01)H01L 31/18(2013.01)H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020140005047 (2014.01.15)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1541776-0000 (2015.07.29)
공개번호/일자 10-2015-0085315 (2015.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20150804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전찬욱 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0041516-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0748573-05
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1066069-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-1066068-28
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0287239-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
1 1
기판 및 상기 기판 상에 몰리브덴층을 포함하는 태양전지용 예비전극부를 구비하는, 태양전지용 배면전극을 제공하는 단계;상기 몰리브덴층을 포함하는 태양전지용 예비전극부 상에, 결정배향성을 가지는, CIGS 씨드층을 형성하는 단계; 상기 CIGS 씨드층 상에 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 CIG 예비광흡수층을 형성하는 단계; 및셀렌화에 수반된 셀레늄(Se)이 상기 CIG 예비광흡수층과 반응함으로써, 상기 CIGS 씨드층과 CIG 예비광흡수층이 상기 결정배항성과 동일한 결정배향성을 가지는 CIGS 광흡수층으로 형성되는, 상기 셀렌화를 수행하는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 셀렌화를 수행하는 단계;는, 상기 셀렌화에 수반된 셀레늄이 상기 몰리브덴층의 일부와 반응하여 몰리셀레나이드층을 형성함으로써, 상기 예비전극부가 상기 몰리브덴층의 나머지와 상기 몰리셀레나이드층이 순차적으로 배치된 배면전극으로 형성되는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 예비전극부가 상기 몰리브덴층의 나머지와 상기 몰리셀레나이드층이 순차적으로 배치된 배면전극으로 형성되는 단계;에서 상기 CIGS 씨드층은 상기 셀렌화에 수반된 셀레늄이 상기 몰리브덴층으로 확산되는 것을 억제함으로써, 형성되는 몰리셀레나이드층의 두께가 두꺼워지는 것을 방지하는, 태양전지의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 CIGS 씨드층을 형성하는 단계;는 동시증발법(co-evaporation)에 의하여 수행되고, 상기 예비광흡수층을 형성하는 단계;는 스퍼터링법에 의하여 수행되는, 태양전지의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 결정배향성은 (112) 또는 (220) 결정배향성을 포함하는, 태양전지의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 (112) 결정배향성은 수학식 1을 만족하는 경우에 구현되는, 태양전지의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 (220) 결정배향성은 수학식 2 또는 기판 및 예비전극층 내에 나트륨 불순물이 없는 경우에 구현되는, 태양전지의 제조방법
8 8
기판 및 상기 기판 상에 몰리브덴층을 포함하는 태양전지용 예비전극부를 구비하는, 태양전지용 배면전극을 제공하는 단계;상기 몰리브덴층을 포함하는 태양전지용 예비전극부 상에, 결정배향성을 가지는, CIGS 씨드층을 형성하는 단계; 및상기 CIGS 씨드층 상에 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 포함하고, 상기 CIGS 씨드층과 동일한 결정배향성을 가지는 CIGS 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 CIGS 광흡수층을 형성하는 단계;는 상기 CIGS 씨드층을 형성하는 단계;에서 형성된 상기 CIGS 씨드층이 셀레늄의 확산을 억제함으로써, 형성되는 몰리셀레나이드층의 두께가 두꺼워지는 것을 방지하는, 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)태광테크 광역경제권선도산업육성사업 스프레이 공정을 이용한 대면적 스퍼터링 타겟 제조 시스템 개발
2 교육과학기술부 영남대학교 산학협력 선도대학(LINC) 육성사업 합금타겟의 저비용 상온 제조기술 개발