맞춤기술찾기

이전대상기술

도핑된 ZnO 층을 포함하는 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190451
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서는 기결정된 도펀트(dopant)로 도핑된 ZnO 층을 형성시키고 상기 도핑된 ZnO층의 도펀트(dopant)의 종류 및 농도를 조절하여, 발광파장이 전 가시광 영역(420 ~ 650 nm)내에서 제어될 수 있는 도핑된 ZnO 층을 구비하는 반도체 발광 소자를 제공한다.이를 위해, 일 실시예에 따른 도핑된 ZnO 층을 구비하는 반도체 발광 소자는 발광 구조물; 및 상기 발광구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되고, 기결정된 도펀트(dopant)로 도핑된 ZnO 층을 포함하되, 상기 발광 구조물은, n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어; p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어; 및 활성층을 포함하되, 상기 활성층은 상기 제 1 레이어 및 제 2 레이어의 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/28 (2014.01)
CPC H01L 33/285(2013.01) H01L 33/285(2013.01)
출원번호/일자 1020110055280 (2011.06.08)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0136205 (2012.12.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130057387;
심사청구여부/일자 Y (2011.06.08)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박일규 대한민국 경상북도 경산시 대학로**길 *

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0431343-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047024-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0482879-29
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0809595-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0809598-84
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0125997-14
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0251110-86
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.03.22 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2013-0251120-32
10 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2013.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0296738-72
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0300594-34
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2013.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0448799-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 구조물; 및상기 발광구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되고, 기결정된 도펀트(dopant)로 도핑된 ZnO 층을 포함하되,상기 발광 구조물은,n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어;p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어; 및활성층을 포함하되, 상기 활성층은 상기 제 1 레이어 및 제 2 레이어의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 도핑된 ZnO 층은,박막 형태 또는 나노로드(nanorod)형태를 구비하는 것인 반도체 발광소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 박막형태는,기결정된 패턴을 구비하는 것인 반도체 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 도핑된 ZnO 층은,기결정된 패턴을 구비하는 층 위에 형성되는 것인 반도체 발광소자
5 5
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 기결정된 패턴은,V-그루브(groove) 형태, 트랜치(Trench) 형태 및 렌즈(Lens) 형태 중 적어도 하나의 형태가 기결정된 간격으로 배열되어 있는 패턴인 것인 반도체 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 기결정된 도펀트는,V, Ce, W, Y, Eu, Tb, Dy 및 Er 중 적어도 하나인 것인 반도체 발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 도핑된 ZnO층은,서로 다른 도펀트로 도핑된 복수의 ZnO 나노로드 또는 복수의 ZnO 박막층이 수평방향 또는 수직방향으로 교대로 배치되어 형성되는 것인 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101280866 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.