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적어도 일면 상에 반도체 나노구조가 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판과 이격되어 상기 반도체 나노구조 상부에 도판트를 포함하는 코팅층이 형성된 도핑용 부재를 배치시키는 단계; 및열처리를 통하여 상기 코팅층에 포함된 도판트를 상기 반도체 나노구조로 공급하는 단계;를 포함하는, 반도체 나노구조의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 도핑용 부재는 지지부재의 적어도 일면 상에 상기 코팅층이 형성된 것인, 반도체 나노구조의 도핑방법
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제2항에 있어서, 상기 코팅층은 상기 지지부재의 적어도 일면 상에 상기 도판트를 포함하는 전구체를 스핀코팅법 또는 스프레이코팅법으로 코팅하여 제조한 것인, 반도체 나노구조의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노구조는 0차원, 1차원 및 2차원 나노구조를 포함하는, 반도체 나노구조의 도핑방법
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제4항에 있어서, 상기 반도체 나노구조는 단일원소, 산화물반도체 및 화합물반도체 중 어느 하나를 포함하는, 반도체 나노구조의 도핑방법
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제5항에 있어서,상기 산화물반도체는 ZnO, MgO, CdO 를 포함하는, 반도체 나노구조의 도핑방법
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제5항에 있어서, 상기 화합물반도체는 ZnSe, ZnS, BN, AlN, AlAs, AlP, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs를 포함하는, 반도체 나노구조의 도핑방법
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8
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 도판트는 N, P, As, Sb, Li, Na, K, Ag, Cu, B, Al, Ga, In을 포함하는, 반도체 나노구조의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 도핑용 부재 사이에 이격거리를 유지하기 위한 스페이서를 배치시키는 단계를 더 포함하는, 반도체 나노구조의 도핑방법
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제1항에 있어서, 상기 도판트를 상기 반도체 나노구조로 공급하는 단계는 산소 혹은 불활성가스가 일정비율 혼합된 산소 분위기에서 수행되는, 반도체 나노구조의 도핑방법
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