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기판;상기 기판의 상면에 형성되는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층의 상면에 형성되는 활성층;상기 활성층의 상면에 형성되며, 상기 제1 반도체층과 상반되는 극성의 다수 캐리어를 가지는 제2 반도체층;상기 제2 반도체층의 상면에 형성되며, 적어도 하나의 도펀트를 포함하는 투명 전극층;상기 투명 전극층의 상면에 형성되어 상기 투명 전극층과 오믹 접촉(ohmic contact)을 하는 제1 금속 전극층; 및상기 제1 금속 전극층의 상면에 형성되며, 수소 결합 반응을 하는 제2 금속 전극층을 포함하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드
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제1항에 있어서,일 측이 에칭된 상기 제1 반도체층의 상면에 형성되며, 적어도 하나의 도펀트를 포함하는 제2 투명 전극층;상기 제2 투명 전극층의 상면에 형성되어 상기 제2 투명 전극층과 오믹 접촉(ohmic contact)을 하는 제3 금속 전극층; 및상기 제3 금속 전극층의 상면에 형성되며, 수소 결합 반응을 하는 제4 금속 전극층을 더 포함하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 제1 반도체층은,상기 에칭된 일 측면이 경사면을 가지는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 제2 반도체층과 상기 투명 전극층 사이에 형성되는 제1 유도 분극층; 및상기 제1 반도체층과 상기 제2 투명 전극층 사이에 형성되는 제2 유도 분극층을 더 포함하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 제2 금속 전극층은,상기 제2 반도체층의 상부에 존재하는 수소 결합을 해리시켜 상기 제2 반도체층의 상부에 수소 결핍을 유도하고,상기 제4 금속 전극층은,상기 제1 반도체층의 상부에 존재하는 수소 결합을 해리시켜 상기 제1 반도체층의 상부에 수소 결핍을 유도하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 제1 금속 전극층 또는 상기 제3 금속 전극층은,갈륨(Ga), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al), 인듐(In), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd) 및 이들을 결합한 화합물 중 적어도 하나의 성분으로 구성되고,상기 제2 금속 전극층 또는 상기 제4 금속 전극층은,백금(Pt), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 이들을 결합한 화합물 중 적어도 하나의 성분으로 구성되는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 제2 금속 전극층 또는 상기 제4 금속 전극층의 상면에 금(Au) 성분의 파티클이 증착되어 형성되는 산화 방지층을 더 포함하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드
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기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상면에 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층의 상면에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층의 상면에 상기 제1 반도체층과 상반되는 극성의 다수 캐리어를 가지는 제2 반도체층을 형성하는 단계;상기 형성된 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층 중 적어도 하나의 층의 일 측을 에칭하는 단계;상기 제2 반도체층의 타 측 상면에 적어도 하나의 도펀트를 포함하는 투명 전극층을 형성하는 단계;상기 투명 전극층의 상면에 상기 투명 전극층과 오믹 접촉(ohmic contact)을 하는 제1 금속 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제1 금속 전극층의 상면에 수소 결합 반응을 하는 제2 금속 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 에칭된 제1 반도체층의 일 측 상면에 적어도 하나의 도펀트를 포함하는 제2 투명 전극층을 형성하는 단계;상기 제2 투명 전극층의 상면에 상기 제2 투명 전극층과 오믹 접촉(ohmic contact)을 하는 제3 금속 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제3 금속 전극층의 상면에 수소 결합 반응을 하는 제4 금속 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 에칭하는 단계는,상기 에칭된 제1 반도체층의 일 측면이 경사면을 갖도록 하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 반도체층과 상기 투명 전극층 사이에 제1 유도 분극층을 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체층과 상기 제2 투명 전극층 사이에 제2 유도 분극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 금속 전극층을 형성하는 단계는,상기 제2 반도체층의 상부에 존재하는 수소 결합을 해리시켜 상기 제2 반도체층의 상부에 수소 결핍을 유도하고,상기 제4 금속 전극층을 형성하는 단계는,사기 제1 반도체층의 상부에 존재하는 수소 결합을 해리시켜 상기 제1 반도체층의 상부에 수소 결핍을 유도하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 금속 전극층 또는 상기 제3 금속 전극층은,갈륨(Ga), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al), 인듐(In), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd) 및 이들을 결합한 화합물 중 적어도 하나의 성분으로 구성되고,상기 제2 금속 전극층 또는 상기 제4 금속 전극층은,백금(Pt), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 이들을 결합한 화합물 중 적어도 하나의 성분으로 구성되는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 금속 전극층 또는 상기 제4 금속 전극층의 상면에 금(Au) 성분의 파티클이 증착시켜 산화 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드의 제조 방법
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