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보강된 박형 결정질 실리콘 웨이퍼

  • 기술번호 : KST2015190512
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 보강된 박형 결정질 실리콘 웨이퍼에 관한 것으로, 상기 박형 결정질 실리콘 웨이퍼는 기존의 결정질 실리콘 태양전지 공정에서 파손되지 않고 기존의 결정질 실리콘 웨이퍼를 대체하여 사용할 수 있다. 따라서 실리콘 태양전지의 수율과 효율을 저하 시키지 않고 실리콘 소재 사용량을 크게 감소시킬 수 있기 때문에 실제적으로 전체 실리콘 태양전지 가격을 크게 감소시켜 국내외 태양광 산업의 타 에너지에 대한 경쟁력을 높이고 태양전지의 그리드 패리티(grid parity) 달성에 기여하여 에너지/기후변화 문제 해결에 기여할 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020140018173 (2014.02.18)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0097070 (2015.08.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.03)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오수영 미국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0154956-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-1176414-25
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0093297-25
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0786171-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1283410-65
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1283385-11
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0383373-33
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.06.27 수리 (Accepted) 7-1-2016-0039555-60
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박형 결정질 실리콘 웨이퍼; 상기 박형 결정질 실리콘 웨이퍼 하부에 형성되며, 전도성 기판의 불순물이 박형 결정질 실리콘 웨이퍼로 침투되는 것을 방지하는 배리어층; 상기 배리어층 하부에 형성되며, 배리어층과 전도성 기판을 접착시키는 접착층; 및 상기 접착층 하부에 형성되며, 박형 결정질 실리콘 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 두께와 강도를 제공하는 전도성 기판을 포함하는 보강된 박형 결정질 실리콘 웨이퍼
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 박형 결정질 실리콘 웨이퍼는 두께가 130 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 보강된 박형 결정질 실리콘 웨이퍼
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 배리어층은 티타늄(Ti) 또는 질화티타늄(TiN) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 보강된 박형 결정질 실리콘 웨이퍼
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 접착층은 니켈(Ni)을 포함하는 것을 특징으로 하는 보강된 박형 결정질 실리콘 웨이퍼
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 기판은 구리(Cu) 또는 스테인레스 스틸 중에서 선택된 어느 하나의 기판인 것을 특징으로 하는 보강된 박형 결정질 실리콘 웨이퍼
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.