맞춤기술찾기

이전대상기술

태양전지 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190536
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1타입으로 도핑된 반도체 재료를 제공하는 단계와, 상기 도핑된 반도체 재료 상에 제1전극을 형성하는 단계와, 상기 반도체 재료의 표면에 에칭 용액에서 전기화학적 에칭에 의해 다수의 로드(rod)를 갖는 나노구조체를 형성하는 단계와, 상기 에칭된 반도체 재료 상에 상기 반도체 재료와 다른 타입의 레이어(layer)를 형성하는 단계와, 상기 레이어 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 소자의 제조방법을 제공한다. 태양전지, 반도체, 에칭
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) B82Y 40/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1020080129222 (2008.12.18)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0070601 (2010.06.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.18)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김강필 대한민국 대구광역시 달서구
2 김재현 대한민국 대구광역시 달서구
3 우성호 대한민국 대구광역시 북구
4 류홍근 대한민국 대구광역시 달성군 화원

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0870263-97
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0137842-67
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0881745-49
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0031311-02
10 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0343122-00
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0419132-18
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0561778-23
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1타입으로 도핑된 반도체 재료를 제공하는 단계와; 상기 도핑된 반도체 재료 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 반도체 재료의 표면에 에칭 용액에서 전기화학적 에칭에 의해 다수의 로드(rod)를 갖는 나노구조체를 형성하는 단계와; 상기 에칭된 반도체 재료 상에 상기 반도체 재료와 다른 타입로 도핑된 레이어(layer)를 형성하는 단계와; 상기 레이어 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 에칭 용액은 HF:DMSO(Dimethyl Sulfoxide):H2O 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 에칭 용액 중 DMSO(Dimethyl Sulfoxide)과 H2O의 상대적인 조성비는 1~99%의 DMSO와 1~99%의 H2O인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 재료는 p-도핑되고 상기 레이어는 n-도핑된 n-Si인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 n-Si와 상기 제2전극 사이에 Al 도핑된 ZnO 투명전도막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 태양전지 소자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전기화학적 에칭시 1~100mA/cm2 의 전류밀도가 인가되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 나노구조체의 로드들은 1nm~100um 의 지름을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 나노구조체의 로드들 사이 간격은 1nm~100um인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.