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CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법

  • 기술번호 : KST2015190539
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법이 개시된다. CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법은 원료로 사용되는 구리(Cu) 원자 함유 물질, 인듐(In) 원자 함유 물질 및 텔룰라이드(Te) 원자 함유 물질, 및 용매를 각각 준비하는 단계; 상기 원료 및 상기 용매의 혼합물을 준비하는 단계; 및 상기 혼합물을 반응 용기에 넣고, 상기 원료가 화학 반응하도록 상기 혼합물을 가열하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01) H01L 21/20 (2014.01)
CPC H01L 21/02568(2013.01) H01L 21/02568(2013.01) H01L 21/02568(2013.01)
출원번호/일자 1020080118881 (2008.11.27)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0060320 (2010.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김참 대한민국 대구시 달서구
2 김기수 대한민국 대구광역시 남구
3 김호영 대한민국 대구시 수성구
4 한윤수 대한민국 대구시 수성구
5 정선주 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0819076-14
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0130451-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0832974-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058225-49
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0427946-98
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0570515-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원료로 사용되는 구리(Cu) 원자 함유 물질, 인듐(In) 원자 함유 물질 및 텔룰라이드(Te) 원자 함유 물질, 및 용매를 각각 준비하는 단계; 상기 원료 및 상기 용매의 혼합물을 준비하는 단계; 및 상기 혼합물을 반응 용기에 넣고, 상기 원료가 화학 반응하도록 상기 혼합물을 가열하는 단계 를 포함하는 CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법
2 2
제1항에 있어서, 반응 부산물이 제거되도록 상기 가열에 의해 합성된 CuInTe2 화합물 반도체를 세척하는 단계; 및 상기 세척된 CuInTe2 화합물 반도체를 60 내지 80℃의 진공분위기에서 7 내지 12시간 동안 건조하는 단계 를 더 포함하는 CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 구리 원자 함유 물질은 CuI, Cu(NO3)2, CuCl, CuCl2, CuCl2·2H2O 및 Cu 분말 중에서 선택된 1종 이상이고, 상기 인듐 원자 함유 물질은 InI3, In(NO)3, InCl3, InCl3·4H2O 및 In 분말 중에서 선택된 1종 이상이고, 상기 텔룰라이드 원자 함유 물질은 TeCl4 및 Te 분말 중에서 선택된 1종 이상인 CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 용매로 알칼리 킬레이트 화합물을 사용하는 CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 알칼리 킬레이트 화합물은 에틸렌디아민(ethylenediamine), 디에틸아민(diethylamine) 및 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine) 중에서 선택된 1종 이상인 CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 가열은 200 내지 260℃에서 10 내지 48시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법
7 7
원료로 사용되는 구리(Cu) 원자 함유 물질, 인듐(In) 원자 함유 물질 및 텔룰라이드(Te) 원자 함유 물질, 및 용매로 사용되는 알칼리 킬레이트 화합물을 각각 준비하는 단계; 상기 원료 및 상기 용매의 혼합물을 준비하는 단계; 및 상기 혼합물을 반응 용기에 넣고, 상기 원료가 화학 반응하도록 상기 혼합물을 가열하는 단계 를 포함하는 태양전지 광흡수층용 CuInTe2 화합물 반도체 합성 방법
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