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화합물 반도체 태양전지 및 광흡수층 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190550
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서는 기판과, 상기 기판상에 형성된 두개의 전극과, 상기 기판에 상기 두개의 전극 사이에 형성되며, 셀레늄 또는 황이 흡착(adsorption) 또는 흡수(absorption)된 흡착제(adsorbent) 또는 흡수제(absorbent)를 사용하여 셀렌화 또는 황화된 CuXInYGaZSeNSM (X=0~1, Y=0~1, Z=0~1, N=0~1, M=0~1)층을 포함하는 화합물 반도체 태양전지를 제공한다. 태양전지, 광흡수층, CIGS
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020090083710 (2009.09.04)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1130067-0000 (2012.03.19)
공개번호/일자 10-2011-0025581 (2011.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20120328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수재 대한민국 대구광역시 달서구
2 김대환 대한민국 대구광역시 수성구
3 성시준 대한민국 대구광역시 수성구
4 한윤수 대한민국 대구광역시 수성구
5 강진규 대한민국 대구광역시 중구
6 이동하 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현풍면
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0547469-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0032983-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0165716-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0165713-87
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0504658-17
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0867069-57
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0867060-47
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0156848-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
셀레늄 또는 황 증기를 흡착제(adsorbent) 또는 흡수제(absorbent)에 흡착 또는 흡수시키는 제1단계;셀레늄 또는 황이 흡착(adsorption) 또는 흡수(absorption)된 흡착제(adsorbent) 또는 흡수제(absorbent)를 사용하여 CIGS계 화합물의 광흡수층을 셀렌화 또는 황화시키는 제2단계를 포함하는 광흡수층의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1단계에서, 180~600℃의 온도 영역에서 상기 셀레늄 또는 황 증기를 상기 흡착제 또는 상기 흡수제에 흡착 또는 흡수시키는 것을 특징으로 하는 광흡수층의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,제2단계에서, 200~900℃의 온도 영역에서 상기 흡착제 또는 상기 흡수제에 흡착 또는 흡수된 셀레늄 또는 황을 상기 광흡수층에 탈착하여 상기 광흡수층을 셀렌화 또는 황화시키는 것을 특징으로 하는 광흡수층의 제조방법
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2단계에서, 질소 및 아르곤 형태의 불활성 가스를 이동상으로 사용하여 상기 흡착제 또는 상기 흡수제에 흡착 또는 흡수된 셀레늄 또는 황을 상기 광흡수층에 탈착하여 상기 광흡수층을 셀렌화 또는 황화시키는 것을 특징으로 하는 광흡수층의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 흡착제 또는 상기 흡수제는 활성탄소, 실리카알루미나계열 제올라이트, 알루미나, 마그네시아, 지르코니아, 실리카, 주석산화물, 산화아연로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광흡수층의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 CIGS계 화합물은 CIGS 화합물, CIGSS 화합물, 또는 CIS 화합물인 것을 특징으로 하는 광흡수층의 제조방법
7 7
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.