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플렉서블 광전변환 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190577
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플렉서블 기판 및 상기 플렉서블 기판을 실질적으로 수직으로 관통하면서 상기 플렉서블 기판 양면 밖으로 돌출된 실리콘 와이어 어레이를 포함하는 광전변환 소자 및 이의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01)
출원번호/일자 1020100072329 (2010.07.27)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1132268-0000 (2012.03.26)
공개번호/일자 10-2012-0010773 (2012.02.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.27)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장환수 대한민국 대구광역시 달서구
2 최호진 대한민국 대구광역시 북구
3 성낙진 대한민국 충청남도 계룡시
4 이선이 대한민국 대구광역시 동구
5 오병윤 대한민국 서울특별시 서대문구
6 김재현 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0484578-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0323410-67
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0599380-88
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0599381-23
6 등록결정서
Decision to grant
2012.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0026089-04
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 기판;상기 플렉서블 기판을 실질적으로 수직으로 관통하면서 상기 플렉서블 기판의 상면 및 하면 밖으로 돌출된 실리콘 와이어 어레이; 상기 실리콘 와이어 어레이의 상기 상면 밖으로 돌출된 영역을 덮는 상부전극; 및상기 실리콘 와이어 어레이의 상기 하면 밖으로 돌출된 영역을 덮는 하부전극을 구비하며, 상기 실리콘 와이어 어레이에 포함된 각각의 실리콘 와이어는 코어-쉘 형태의 p-n 접합구조를 가짐으로써 광을 전기로 변환하는 것인 광전변환 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 실리콘 와이어는 p형 또는 n형이고, 상기 실리콘 와이어의 적어도 일부분이 반대 극성의 물질로 덮거나 도핑하여 코어-쉘 형태의 상기 p-n 접합구조를 가지며, 상기 플렉서블 기판을 중심으로 상기 실리콘 와이어가 상기 쉘로 덮인 부분과 상기 코어가 노출된 부분으로 나뉨으로써, p형 영역과 n형 영역이 격리되는 광전변환 소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 경화성 물질로 제조되는 광전변환 소자
4 4
제2 항에 있어서,상기 p형 영역 및 상기 n형 영역 중 적어도 하나에 투명 전극이 정각(conformal) 형태로 배치된 광전변환 소자
5 5
제1 항에 있어서,상기 실리콘 와이어 어레이는 주기적이고 규칙적인 배열을 갖는 광전변환 소자
6 6
제2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판의 한쪽 면에는 태양전지가 형성되고 다른 쪽 면에는 발광다이오드가 형성된 광전변환 소자
7 7
실리콘 기판 위에 실리콘 와이어 어레이를 형성하는 단계;상기 실리콘 기판 위에 산화막을 증착하는 단계;상기 산화막 위로 돌출된 상기 실리콘 와이어에 불순물을 도핑하거나 반대 극성의 물질을 증착하여 코어-쉘 형태의 p-n 접합구조를 형성하는 단계;상기 산화막을 에칭하여 상기 p-n 접합구조와 상기 산화막 사이에 간극을 형성하는 단계;상기 실리콘 와이어 어레이 위에 경화성 물질을 도포하고 경화시켜 상기 실리콘 기판 위에 플렉서블 기판을 형성하되, 상기 p-n 접합구조 중 상기 쉘 부분만 노출되도록 하는 단계;상기 플렉서블 기판 하부의 산화물을 제거하여 상기 플렉서블 기판 하부 쪽으로 상기 실리콘 와이어가 노출되도록 하는 단계; 및상기 실리콘 기판으로부터 상기 실리콘 와이어를 분리함으로써 상기 실리콘 와이어가 상기 플렉서블 기판을 관통하며 양쪽으로 돌출되도록 하는 단계를 포함하는 광전변환 소자의 제조방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 실리콘 와이어 어레이의 형성은 전기화학적 에칭에 의해 수행되는 광전변환 소자의 제조방법
9 9
제8 항에 있어서,상기 전기화학적 에칭 단계 이전에 사전 패터닝을 수행하여 상기 실리콘 와이어 어레이가 주기적 구조를 갖도록 하는 광전변환 소자의 제조방법
10 10
제7 항에 있어서,상기 산화막의 증착은 튜브 로 장비를 사용하여 산소 또는 수증기의 진행 방향과 평행한 방향으로 상기 실리콘 와이어를 배치하여 수행되는 광전변환 소자의 제조방법
11 11
제8 항에 있어서,상기 전기화학적 에칭 단계에서 보조 전극을 루프 링 형태로 사용하는 광전변환 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.