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아연 전구체를 에멀젼화제로 이루어진 유기용액에 투입하는 단계;상기 유기용액을 에멀젼 상태로 변화시키는 단계;비혼화성 용액을 상기 에멀젼 상태가 된 유기용액에 투입하여 에멀젼액을 형성하는 단계; 상기 에멀젼액을 가열하여 산화아연 나노로드를 제조하는 단계; 상기 산화아연 나노로드를 상기 에멀젼액으로부터 분리하는 단계; 및상기 산화아연 나노로드의 표면에 ATO 입자를 코팅하는 단계를 포함하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연 전구체는 염화아연(ZnCl2), 황산아연(ZnSO4), 아연아세테이트(Zn(CH3CO2)2), 아연사이트레이트(Zn3[O2CCH2C(OH)(CO2)CH2CO2]2), 및 질산아연(Zn(NO3)2)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 환원제 수용액은 하이드라이진(N2H4?H2O), 하이드로퀴논(C6H4(OH)2), 소디윰 보로하이드라이드(H4BNa)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화아연 나노로드의 두께는 20 nm 내지 500 nm이고, 상기 산화아연 나노로드의 길이는 500 nm 내지 4 μm인 것을 특징으로 하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화아연 나노로드의 표면에 ATO 입자를 코팅하는 단계는 상기 산화아연 나노로드를 ATO 졸 용액에서 투입하여 이루어지거나 ATO로 이루어진 소스를 이용하는 기상증착을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 ATO 입자의 코팅이 상기 산화아연 나노로드를 상기 ATO 졸 용액에서 투입함으로써 이루어질 경우, 원심분리를 통하여 상기 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드가 ATO 졸 용액의 용매로부터 분리되거나, Evaporation 법으로 상기 ATO 졸 용액의 용매를 제거함으로써 상기 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드가 획득되는 것을 특징으로 하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드에 대한 열처리 공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 열처리 온도는 100 ℃ 이상 700 ℃ 이하인 것을 특징으로 하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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제1항 또는 제7항에 있어서,상기 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 전기전도도는 ZnO의 전기전도도보다 크고 ATO의 전기전도도보다 작은 것을 특징으로 하는 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드의 제조방법
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ZnO의 전기전도도보다 크고 ATO의 전기전도도보다 작은 전기전도도를 지닌 ATO 입자가 코팅된 산화아연 나노로드
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