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아민(amine)계 또는 티올(thiol)계에 속하는 적어도 한 종류를 포함하는 용매를 혼합하여 잉크 조성물을 제조하는 단계;I-Ⅲ-Ⅵ2, I-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ족 중 적어도 하나에 속하는 나노입자를 상기 잉크 조성물과 혼합하는 단계;상기 나노입자와 혼합된 잉크를 기재 상에 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 잉크를 열처리하는 단계;를 포함하는 박막 태양전지 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리 단계는, 셀레늄(Se) 또는 설퍼(S) 중 적어도 하나의 분위기하에서 시행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 아민(amine)계 용매는, 히드라진(Hydrazine), 모노 히드라진 무수물(Hydrazine monohydrate), 히드라진 무수물(Hydrazinehydrate), 암모니아수(NH3OH), 올레일아민(Oleylamine), 모노에틸아민(Monoethylamine), 디에틸아민(Diethylamine), 트리에틸아민(Triethylamine), 디에틸렌디아민(Diethylenediamine), 트리에틸렌테트라아민(Triethylenetetramine), 톨루엔디아민(Toluenediamine), 아세토니트릴(Acetonitrile)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 티올(thiol)계 용매는, 헥산티올(1-hexanethiol),1-헥사디케인티올(1-Hexadecanethiol),1-도디케인티올(1-Dodecane thiol), 1-옥탄디케인티올(1-Octadecanethiol), 1-옥탄티올(1-Octanethiol)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 잉크 조성물과 혼합되는 나노입자의 I족 전구체는 구리(Cu) 또는 구리 화합물이며, Ⅱ족 전구체는 아연(Zn) 또는 아연 화합물이며, Ⅲ족 전구체는 인듐(In) 또는 인듐 화합물이거나 갈륨(Ga) 또는 갈륨 화합물 이며, Ⅳ족 전구체는 주석(Sn) 또는 주석 화합물 이며, Ⅵ족 전구체는 셀레늄(Se) 또는 셀레늄 화합물 이거나 설퍼(S) 또는 설퍼 화합물인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 I-Ⅲ-Ⅵ2 족의 나노입자는 CuInxGa(1-x)(SeyS1-y)2 (0 003c# (X,Y) 003c# 1)이며,상기 I-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ족의 나노입자로서 CuZnxSn(1-x)(SeyS1-y) (0 003c# (X,Y) 003c# 1)인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 300℃ 이상 600℃ 이하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 1항 내지 제 7항의 제조방법에 의해 제조된 광흡수층을 포함하는 박막 태양전지
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