맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지용 광흡수층의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190606
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지용 광흡수층의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판 상에 보호층을 형성하고 보호층 상에 중간층을 형성하고 중간층 상에 전구체층을 형성하고 열처리하여 고품질의 광흡수층을 제조할 수 있는 태양전지용 광흡수층의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/072 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01)
출원번호/일자 1020120128168 (2012.11.13)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1389760-0000 (2014.04.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.13)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박미선 대한민국 대구 달서구
2 성시준 대한민국 대구 수성구
3 김대환 대한민국 대구 수성구
4 황대규 대한민국 대구 달성군 화원읍 비슬로**
5 이동하 대한민국 대구 수성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권형중 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
2 김문재 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
3 이종승 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길** 에이동 ***호 (문정동, 현대지식산업센터)(리스비특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0932301-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0859176-17
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0128300-36
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0128294-49
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0263947-80
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 단계 (a) 내지 (d)를 순차적으로 포함하는 태양전지용 광흡수층의 제조방법으로서, (a) 기판 상에 금속 확산 방지 기능을 갖는 보호층을 형성하는 단계;(b) 상기 보호층 상에 VIA족 물질을 포함하는 중간층을 형성하는 단계;(c) 상기 중간층 상에 IB족, IIB족, IIIA족 및 IVA족 전구체 중 하나 이상을 포함하는 전구체층을 형성하는 단계; 및(d) 열처리하여 I-III-VI계 또는 I-II-IV-VI계 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지용 광흡수층의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 보호층이 무기물 전도성 금속을 포함하며, 상기 무기물 전도성 금속이 TiN, TaN, Ti(Al)N, WxN, RuO2, TaSiN, TiSiN, WBN 및 이들의 조합으로부터 선택되는 태양전지용 광흡수층의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 VIA족 물질이 셀레늄(Se), 황(S) 또는 이들 모두를 포함하는 태양전지용 광흡수층의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 진공 또는 용액 공정을 이용하여 상기 중간층을 형성하는 태양전지용 광흡수층의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, IB족 전구체가 구리(Cu) 또는 구리 화합물이며, IIB족 전구체가 아연(Zn) 또는 아연 화합물이며, IIIA족 전구체가 인듐(In) 또는 인듐 화합물이거나 갈륨(Ga) 또는 갈륨 화합물이며, IVA족 전구체가 주석(Sn) 또는 주석 화합물인 태양전지용 광흡수층의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 전구체층이 IB족, IIB족, IIIA족 및 IVA족 금속 중 하나 내지 셋을 포함하는 단일 또는 복수 층인 태양전지용 광흡수층의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 진공 또는 용액 공정을 이용하여 상기 전구체층을 형성하는 태양전지용 광흡수층의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 열처리가 300℃ 내지 600℃에서 이루어지는 태양전지용 광흡수층의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 열처리가 일정한 온도에서 이루어지거나 낮은 온도에서 시작되어 높은 온도에서 종료되도록 온도 편차를 갖는 조건 하에서 이루어지는 태양전지용 광흡수층의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 열처리가 비활성기체 분위기이거나 셀레늄(Se) 또는 황 중 1종 이상의 분위기에서 이루어지는 태양전지용 광흡수층의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 기판이 유리기판 또는 몰리브데늄이 코팅된 유리기판인 태양전지용 광흡수층의 제조방법
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되며 CuaInbGacSedSe (0003c#(a,b,c)≤1, 0≤(d,e)≤2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.