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기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 SiO2 패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하되,상기 단계 2의 금속 시드 층의 형성은 커플링제를 이용하여 수행되고,상기 커플링제는 3-아미노프로필트리에톡시실레인, 4-아미노프로필트리메톡시실레인 및 4-아미노부틸트리메톡시실레인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아미노알킬실레인인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 SiO2 패턴을 형성한 후, O2 플라즈마 또는 UV오존처리를 5분 내지 1시간 동안 수행하여 표면을 친수성으로 만드는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노 와이어 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 금속은 귀금속류인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노 와이어 투명전극 제조방법
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제3항에 있어서,상기 귀금속류는 백금, 금, 은 및 구리로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노 와이어 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3의 금속 나노와이어의 성장은 상기 단계 3의 용액에 리간드를 더 포함하여 수행하며, 상기 리간드는 mercapto-aliphatic acid 및 mercapto-aromatic acid으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노 와이어 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3의 금속 나노와이어의 성장은 상기 단계 3의 용액에 리간드를 더 포함하여 수행하며, 상기 리간드는 4-mercaptobenzoic acid, 4-mercapto-2-methoxy-benzoic acid 및 3-mercaptopropionic acid로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노 와이어 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3의 환원제는 L-아스코르브산, 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 보로하이드라이드, 하이드라진, 구연산 또는 그 염 및 환원당으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3의 금속 전구체는 AgNO3, AgCl, AgNO3, HAuClO4, H2PtCl6 및 H2Pt(OH)6 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노 와이어 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3의 나노와이어를 성장시킨 후, 고분자 보호막을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법
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제10항에 있어서,상기 고분자는 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스, 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜, 폴리퍼퓨릴알콜, 폴리스티렌, 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리카프로락톤, 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체 및 폴리아마이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 금속 시드 층의 금속과, 상기 단계 3의 금속 나노와이어의 금속은 동일한 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법
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제1항의 제조방법에 따라 제조되는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극
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