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박막태양전지의 광흡수층 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190647
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 위에 형성된 전극층 상에 용액공정을 이용하여 IB, IIB, IIIB, 또는 IVA 중 적어도 하나를 포함하는 전구체층을 증착하는 단계, 상기 전극체층 상에 VIA족 층을 증착하는 단계 및 커버플레이트를 상기 VIA족 층의 상부에 배치한 후 열처리를 통하여 I-III-VI계 또는 I-II-IV-VI계 광흡수층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020110012703 (2011.02.14)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1229310-0000 (2013.01.29)
공개번호/일자 10-2012-0092833 (2012.08.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미선 대한민국 대구광역시 달서구
2 성시준 대한민국 대구광역시 수성구
3 김대환 대한민국 대구광역시 수성구
4 강진규 대한민국 대구광역시 중구
5 조효정 대한민국 대구광역시 중구
6 이동하 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현풍면
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0102103-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0094711-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0153692-61
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0388968-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0388943-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0575025-14
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0975677-97
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-1076173-24
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1076182-35
13 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0038411-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성된 전극층 상에 IB-IIIB족 그룹 또는 IB-IIB-IVA족 그룹의 물질을 포함하는 전구체층을 형성하는 단계;상기 전구체층 상에 VIA족 층을 증착하는 단계; 및상기 VIA족 층의 상부에 커버플레이트를 배치한 후, 250~300℃에서 1차적으로 열처리하고, 이어서 450~600℃에서 2차적으로 열처리하여 I-III-VI계 또는 I-II-IV-VI계의 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 전구체층을 형성하는 단계는, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 아세톤(aceton), 아세토니트릴(acetonitrile), 2-프로판올(2-propanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 및 모노에탄올아민(monoethanolamine) 중 적어도 하나를 포함하는 용매를 준비하는 단계; 상기 IB-IIIB족 그룹, IB-IIB-IVA족 그룹 또는 IB-IIIB-VIA족 그룹의 물질을 포함하는 전구체를 상기 용매에 혼합한 후 교반하여 용액을 제조하는 단계; 및 상기 용액을 상기 전극층 상에 코팅한 후 상기 용매를 건조하는 단계를 포함하며,상기 IB-IIIB족 그룹 전구체는 ⅰ) CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4 및 Cu(CH3COOH)2 로 이루어진 군에서 선택되는 Cu 함유 IB족 전구체와, InCl3, In(NO3)3, InSO4 및 In(CH3COOH)2 로 이루어진 군에서 선택되는 In 함유 IIIB족 전구체를 포함하거나 ⅱ) 상기 Cu 함유 IB족 전구체와, GaCl3, Ga(acac)3 및 Ga(NO3)3로부터 선택되는 Ga 함유 IIIB족 전구체를 포함하며,상기 IB-IIB-IVA족 그룹 전구체는, 상기 Cu 함유 IB족 전구체와, ZnCl2, Zn (NO3)2, ZnSO4, Zn(CH3COOH)2로부터 선택되는 Zn 함유 IIB족 전구체와, SnCl2, Sn(NO3)2, SnSO4 및 Sn(CH3COOH)2 로 이루어진 군에서 선택되는 Sn 함유 IVA족 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 광흡수층 제조방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 SUS 기판, SLG 기판, 글라스 기판 또는 폴리이미드 기판 중 하나인 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 광흡수층 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 VIA족 층은 VIA족 물질을 진공증착 또는 용액공정하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 광흡수층 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 커버플레이트는 나트륨(Na)을 함유하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 광흡수층 제조방법
8 8
삭제
9 9
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10 10
삭제
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.