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금속 기판 상에 상기 금속 기판과 전해액 사이의 전하 재결합을 방지하기 위한 차단층을 형성하는 단계; 및상기 차단층 상에 나노튜브 또는 나노로드 탬플릿을 임프린팅한 후, 어닐링하여 상기 차단층 표면에 아일랜드(island)를 형성하는 단계를 포함하는 유연 염료감응 태양전지 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 차단층은 TiO2 차단층이며, 상기 아일랜드는 TiO2 나노입자 응집 아일랜드(nanoparticles aggregated islands)인 것을 특징으로 하는 유연 염료감응 태양전지 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 차단층은 티타늄 이소프록사이드(Titanium isopropoxide:TIP) 또는 염화 티타늄(TiCl4,, TiCl3 또는 TiCl2)을 스핀코팅 또는 드롭핑하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 염료감응 태양전지 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 기판은 Ti, Al, Cu, Stainless Steel, Au, Ag, Cr, Mo, Ni, Pt, W 중 하나인, 유연 염료감응 태양전지 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 나노튜브 또는 나노로드 탬플릿은 알루미늄 양극 산화물(Anodic Aluminum Oxide: AAO), TiO2, SiO2, Si, 카본(carbon), ZnO, SnO 나노튜브 또는 나노로드 탬플릿 중 하나인, 유연 염료감응 태양전지 제조방법
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제 1항에 있어서,350~450℃에서 20~40분간 어닐링하는 것을 특징으로 하는 유연 염료감응 태양전지 제조방법
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제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 유연 염료감응 태양전지
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