| 1 |
1
기판 상에 형성된 제 1전극 및 상기 제 1전극 상에 형성된 광흡수층을 포함하는 태양전지 제조방법에 있어서,상기 기판의 소정 부분이 노출되도록 상기 제 1전극 및 상기 광흡수층을 식각하여 식각부를 형성하는 단계;상기 식각부 상에 광센서 활성층을 형성하는 단계; 및상기 광센서 활성층 상에 광센서 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제 1전극 및 상기 광흡수층을 식각 후, 상기 광흡수층과 상기 식각부에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 제 2전극을 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 광센서 활성층은 상기 식각부에 형성된 상기 버퍼층에 해당하고, 상기 광센서 전극은 상기 식각부에 형성된 상기 제 2전극에 해당하며, 상기 제 2전극의 패터닝시 상기 광센서 전극이 함께 패터닝되는 것을 특징으로 하는 광센서 내장형 태양전지 제조방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 광센서 전극은 이격되게 구비된 것을 특징으로 하는 광센서 내장형 태양전지 제조방법
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 광센서 전극은 10 ~ 30 ㎛로 이격된 것을 특징으로 하는 광센서 내장형 태양전지 제조방법
|
| 5 |
5
제 3항에 있어서,상기 광센서 전극의 가로와 세로의 길이비는 1:3 ~ 1:5인 것을 특징으로 하는 광센서 내장형 태양전지 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 광센서 활성층은 CdS 박막으로 형성되며, 상기 CdS 박막 형성시, 전도성 향상을 위하여 In, Sn, Al 및 Ti 중 적어도 하나를 5중량% 더 추가하는 것을 특징으로 하는 광센서 내장형 태양전지 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 광센서 활성층은 CdS 박막으로 형성되며, 상기 CdS 박막의 Cd와 S의 중량비는 0
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 CdS, ZnS, In2S3, ZnSe, InSe, ZnInSe, ZnMgO, SnO2 및 SnS2로 이루어진 군에서 선택되는 하나를 포함하는 박막인 것을 특징으로 하는 광센서 내장형 태양전지 제조방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,상기 광흡수층은 CIS, CIGS, CZTS, CIGSSe, CZTSSe 및 CdTe계로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 광센서 내장형 태양전지 제조방법
|
| 10 |
10
제 1항 및 제 3항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 제조방법에 의하여 제조된 광센서 내장형 태양전지
|
| 11 |
11
제 1항의 제조방법에 의해 제조된 태양전지; 및상기 태양전지의 광센서에서 센싱하는 전류신호를 입력받아 상기 태양전지와 태양이 이루는 각도에 따른 최저 저항점을 판단한 이후, 상기 태양전지와 태양이 소정 각도를 유지하도록 상기 태양전지의 이동을 제어하는 제어부;를 포함하는 광센서 내장형 태양전지를 구비한 태양광 발전시스템
|
