맞춤기술찾기

이전대상기술

박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2015190700
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류확산층을 포함하는 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 전류확산층을 형성하여 전류를 제 2전극으로 전달하는 박막 태양전지 및 그 제조방법이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01)
출원번호/일자 1020120061514 (2012.06.08)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1370554-0000 (2014.02.27)
공개번호/일자 10-2013-0137874 (2013.12.18) 문서열기
공고번호/일자 (20140310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.08)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양기정 대한민국 대구 수성구
2 강진규 대한민국 대구 중구
3 손대호 대한민국 경기 의정부시 백석로
4 김대환 대한민국 대구 수성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0457553-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0061999-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0686796-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-1027003-89
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1027010-09
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0068066-07
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0109413-07
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0109414-42
13 등록결정서
Decision to grant
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0129327-83
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1전극, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층 및 제 2전극이 순차적으로 적층된 박막 태양전지에서,상기 윈도우층과 상기 제 2전극 사이에 형성된 전류확산층을 더 포함하며,상기 전류확산층은 Pt, Pd 또는 Ce로 형성된 투명 금속막으로서 면저항은 0
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 전류확산층의 두께는 5~10nm인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
4 4
제 1항에 있어서,상기 전류확산층은 진공 공정, 열 증착 공정, 나노전사 공정 또는 스크린 인쇄에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
5 5
제 1항에 있어서,상기 박막 태양전지의 광흡수층은 CIS(Copper, Indium, Sulfur 또는 Selenide), CIGS(Copper, Indium, Galium, Sulfur 또는 Selenide) 및 CZTS(Copper, Zinc, Tin, Sulfur 또는 Selenid) 중 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
6 6
제 1전극 상에 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계;상기 윈도우층 상에 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.