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태양전지 광흡수층 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190714
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 준비 단계; 상기 기판 상에 후면 전극을 적층하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 금속 전구체를 적층하는 단계; 및 상기 후면 전극층과 금속 전구체층이 적층된 기판을 셀레늄 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 태양전지 광흡수층 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120113480 (2012.10.12)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0047760 (2014.04.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.12)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손대호 대한민국 경기 의정부시 백석로
2 양기정 대한민국 대구 수성구
3 김대환 대한민국 대구 수성구
4 성시준 대한민국 대구 수성구
5 박시내 대한민국 대구 북구
6 강진규 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0829991-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0095555-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0033767-85
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0254231-51
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0431133-84
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 광흡수층 제조 방법에 있어서,기판 준비 단계;상기 기판 상에 후면 전극을 적층하는 단계;상기 후면 전극층 상에 금속 전구체를 적층하는 단계; 및상기 후면 전극층과 금속 전구체층이 적층된 기판을 셀레늄 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 태양전지 광흡수층 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체를 적층하는 단계는,구리 또는 그 황화물, 아연 황화물, 및 주석 황화물을 타겟으로 구리아연주석황화물 전구체를 진공 증착하는 태양전지 광흡수층 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 금속 전구체층은 최상부에 구리가 배치되는 태양전지 광흡수층 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체를 적층하는 단계는,상기 후면 전극 층 상에 아연 황화물 전구체를 적층하는 단계;상기 아연 황화물 전구체 층 상에 주석 황화물 전구체를 적층하는 단계; 및상기 주석 황화물 전구체 층 상에 구리 또는 구리 황화물 전구체를 적층하는 단계를 순차적으로 수행하는 태양전지 광흡수층 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체를 적층하는 단계는,상기 후면 전극 층 상에 주석 황화물 전구체를 적층하는 단계;상기 주석 황화물 전구체 층 상에 아연 황화물 전구체를 적층하는 단계; 및상기 아연 황화물 전구체 층 상에 구리 또는 그 황화물 전구체를 적층하는 단계를 순차적으로 수행하는 태양전지 광흡수층 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 후면 전극층은 몰리브데늄(Mo) 박막인 태양전지 광흡수층 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 열처리 단계는,상기 후면 전극층과 금속 전구체층이 적층된 기판을 셀레늄 가스 또는 H2Se 가스 분위기에서 열처리하는 태양전지 광흡수층 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 셀레늄 분위기에서 열처리하는 단계를 수행한 후, 황 분위기에서 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 태양전지 광흡수층 제조방법
9 9
제 2 항에 있어서,상기 구리아연주석황화물 전구체는 아연 황화물, 주석 황화물, 및 구리 또는 구리 황화물 타겟을 동시에 공증착하여 형성하는 태양전지 광흡수층 제조방법
10 10
아연 황화물, 주석 황화물, 및 구리 또는 구리 황화물을 타겟으로 구리-아연-주석-황화물 전구체를 기판 상에 증착하는 단계;상기 구리-아연-주석-황화물 전구체 상에 셀레늄을 증착하는 단계; 및상기 단계에서 상기 셀레늄이 증착된 기판을 열처리하여 구리-아연-주석-황-셀렌화물 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 광흡수층 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 구리-아연-주석-황화물 전구체를 기판 상에 증착하는 단계에서,상기 구리가 상부에 배치되는 태양전지의 광흡수층 제조방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 열처리하는 단계에서,상기 기판은 셀레늄 분위기에서 열처리하는 태양전지의 광흡수층 제조방법
13 13
제 12 항에서,상기 셀레늄 분위기에서 열처리하는 단계를 수행한 후,황 분위기에서 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 태양전지의 광흡수층 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 대구경북과학기술원 일반사업 차세대 융복합연구기술 개발