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증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버;상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부;상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판;상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치;상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하며,상기 시편은 IB족 원소로 구리 (Cu), IIB족 원소로 아연 (Zn) 또는 카드뮴(Cd), IIIA족 원소로 인듐 (In) 또는 갈륨 (Ga), VIA족 원소로 주석 (Sn), 저마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 및 VA족 원소로 안티몬 (Sb) 또는 비스무스 (Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 증발원은 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 증발원 담지부는 공급된 이송가스가 유출되는 방향에 대하여 평행하거나, 또는 이송가스가 유출되는 방향을 향하여 기울어져 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 증발원 담지부로는 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 상이한 증발원이 기화 공급될 순서에 따라 순차적으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 증발원 담지부는 기판 쪽으로 개구부가 구비된 관형으로써, 상기 증발원 담지부 내의 길이방향으로 증발원이 순차적으로 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제5항에 있어서, 상기 증발원 담지부 내의 길이방향으로 상이한 증발원이 서로 상이한 길이로 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 이송장치는 리니어 모션 이송장치 또는 자력(magnetic force)이송장치인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 시편은 구리, 인듐 및 갈륨을 포함하는 CIG 전구체 또는 구리, 아연 및 주석을 포함하는 CZT 전구체인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 기판은 표면에 형성된 시편이 증발원 담지부를 향하도록 기울어져 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 가열영역은 서로 상이한 온도를 나타내는 복수개의 가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제10항에 있어서, 상기 가열수단은 램프가열장치 또는 저항가열 장치인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제10항에 있어서, 상기 가열영역은 1 내지 5개의 가열수단을 포함하고, 상기 가열수단은 100 내지 1000 ℃의 온도 범위 내에서 서로 상이한 온도를 나타내며, 각각의 가열수단은 개별적으로 온도 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 반응 챔버 내의 압력은 0
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제1항에 있어서, 상기 이송가스는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2) 가스인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 가열영역은 증발원 담지부를 가열하여 증발원을 기화시키는 증발원 기화부, 및상기 증발원 기화부에서 기화된 증발원을 800 내지 1000 ℃의 온도로 가열하여 증발원 원소를 크래킹하는 크래킹부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치
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제1항 내지 제13항, 제15항, 및 제16항 중 어느 한 항의 제조장치를 이용한 화합물 반도체의 제조방법에 있어서,증발원 담지부에 VIA족 원소를 시킬 순서에 따라 순차적으로 배치하는 단계(단계 1);표면에 시편이 형성된 기판을 반응 챔버 내로 구비시키는 단계(단계 2);상기 이송장치를 이용하여 상기 단계 1의 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 기판을 향하도록 이송되는 증발원 담지부를 가열하여 증발원을 기판 표면으로 기화 공급하는 단계(단계 4);를 포함하는 화합물 반도체의 제조방법
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제17항에 있어서, 제17항의 방법에 의해 제조되는 화합물 반도체는CuaInbGacSedSe (0 ≤ (a,b,c) ≤ 1, 0 ≤ (d, e) ≤ 2
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제18항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 태양전지의 광흡수층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조방법
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