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실리콘계 음극의 제조방법, 이를 이용한 실리콘계 음극, 및 이를 포함하는 리튬 이차전지

  • 기술번호 : KST2015190765
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기재는 (a) 실리콘 기판 위에 금속막을 형성하는 단계; (b) 상기 금속막이 형성된 실리콘 기판을 열처리하여, 실리콘 박막이 적층된 금속막을 얻는 단계; 및 (c) 상기 실리콘 박막을 식각액에 담지하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 리튬 이차전지용 실리콘계 음극의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01M 10/052 (2010.01) C23C 28/02 (2006.01) H01M 4/38 (2006.01) H01M 4/1395 (2010.01)
CPC H01M 4/1395(2013.01)H01M 4/1395(2013.01)H01M 4/1395(2013.01)H01M 4/1395(2013.01)H01M 4/1395(2013.01)H01M 4/1395(2013.01)
출원번호/일자 1020120128399 (2012.11.13)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1475757-0000 (2014.12.17)
공개번호/일자 10-2014-0061160 (2014.05.21) 문서열기
공고번호/일자 (20141223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.13)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백성호 대한민국 대구 달성군 현풍면
2 김재현 대한민국 대구 수성구
3 박정수 대한민국 대구 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 *** (서소문동, 대한항공빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0933566-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0100565-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0149154-49
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0407984-56
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0409878-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0409879-17
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0674490-45
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.10.31 수리 (Accepted) 7-1-2014-0041598-46
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-1078017-36
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.11.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1078018-82
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0857099-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 기판 위에 금속막을 형성하는 단계; (b) 금속막이 형성된 실리콘 기판을 열처리하여, 상기 실리콘 기판으로부터 실리콘 박막을 박리시킴으로써, 실리콘 박막이 적층된 금속막을 얻는 단계; 및 (c) 치환 도금 용액을 포함하는 도금조에 실리콘 박막을 담지하여, 상기 실리콘 박막을 도금한 뒤, 식각액에 담지하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 리튬 이차전지용 실리콘계 음극의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 금속막이 전기도금법, 스퍼터링법, 화학 기상 증착(CVD) 방법, 미케노-퓨전(Mechano-Fusion) 및 볼밀링(Ball- milling)으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의하여 형성되는 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속막의 두께가 1 내지 10 ㎛인 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 실리콘 박막은 진공 분위기 하에서, 300 내지 800℃의 온도 범위 내에서 열처리 되는 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 치환 도금 용액이 불산 수용액에 금속 화합물을 용해시켜 제조되는 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 금속 화합물이 질산은(AgNo3)인 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 식각액이 불산(HF) 및 과산화수소(H2O2)의 혼합액인 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 불산(HF)의 농도가 4 내지 5 M 인 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 과산화수소(H2O2)의 농도가 0
10 10
제1항 내지 제8항 중 어느 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 실리콘계 음극
11 11
제10항에 따른 실리콘계 음극;양극; 전해질; 및 세퍼레이터를 포함하는 리튬 이차전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.