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제1전극;상기 제1전극 위에 위치하는 제 1 도전형의 광흡수층;상기 광흡수층 위에 위치하며 상기 광흡수층과 PN 접합을 이루고 상기 제 1 도전형과 반대 도전형인 제 2 도전형의 이미터층;상기 이미터층의 상부를 복수의 마이크로와이어의 집합체로 가공하여 형성되는 미세 구조물 및 상기 복수의 마이크로와이어 각각의 표면에서 수직방향으로 성장하여 형성되는 나노 로드의 집합체인 극미세 구조물을 포함하는 반사방지층; 및상기 반사방지층 위에 위치하는 제 2 전극을 포함하는 실리콘 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 극미세 구조물은 나노 사이즈의 복수의 산화아연 나노로드의 집합체이고, 상기 미세 구조물은 마이크로 사이즈의 복수의 실리콘 마이크로와이어의 집합체인 실리콘 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드는 상기 마이크로와이어 상에 형성되는 산화아연 시드층으로부터 성장하여 형성되는 실리콘 태양전지
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제 3 항에 있어서,상기 산화아연 시드층은 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In)을 포함하는 13족 원소 중 하나 이상으로 도핑되어 형성되는 실리콘 태양전지
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 반사방지층은 상기 극미세 구조물의 부피를 조정하여 유효굴절률을 조절하는 실리콘 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드는 수열합성법으로 형성되는 실리콘 태양전지
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실리콘 태양전지의 제조방법에 있어서,제 1 도전형으로 도핑된 실리콘 기판을 준비하는 과정;상기 실리콘 기판 상에 상기 제 1 도전형과 반대 도전형인 제 2 도전형의 이미터층을 형성하는 과정;상기 이미터층 상부를 복수의 마이크로 와이어의 집합체로 가공하여 미세구조물을 형성하는 과정; 및상기 복수의 마이크로와이어 각각의 표면에서 수직방향으로 나노 로드를 성장시켜 극미세구조물을 형성하여 반사방지층을 형성하는 과정을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 실리콘 기판은 P형 실리콘 기판이고,상기 이미터층을 형성하는 과정은 상기 P형 실리콘 기판 상에 N형 실리콘 층을 형성하여 PN 접합을 형성하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 미세 구조물은 복수의 실리콘 마이크로 와이어 집합체를 포함하고, 상기 가공하는 과정은 전기화학 식각법, 용액식각법, 및 금속 촉매 식각법으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 반사방지층 형성 과정은,상기 미세 구조물 상에 산화아연 시드층을 형성하는 과정; 및상기 산화아연 시드층을 수열합성법으로 성장시켜 상기 산화아연 나노로드 집합체를 포함하는 상기 극미세 구조물을 형성하는 과정을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 산화아연 시드층을 형성하는 과정은 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In)을 포함하는 13족 원소 중 하나 이상으로 상기 미세 구조물을 도핑하는 과정을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 산화아연 시드층 형성 과정은,아세트산아연 분말을 상압 하에서 70℃의 온도에서 에탄올에 희석시켜 아세트산아연 용액을 제조하는 과정;상기 아세트산아연 용액에 상기 가공된 이미터층을 포함하는 상기 실리콘 기판을 상압하에서 70℃의 온도에서 침지시키는 과정; 및상기 아세트산아연 용액으로부터 상기 실리콘 기판을 꺼낸 후에 100℃의 온도에서 열처리하는 과정을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법,
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제 13 항에 있어서,상기 침지시키는 과정 및 상기 열처리하는 과정이 반복되는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 극미세구조물 형성 과정은,질산아연 분말을 80℃ 내지 90℃의 온도에서 탈이온 증류수와 헥사메틸렌테트라아민(hexamethylenetetramine)에 희석시켜 질산아연 용액을 제조하는 과정;상기 질산아연 용액에 상기 산화아연 시드층이 형성된 상기 실리콘 기판을 80℃ 내지 90℃의 상압에서 침지시키는 과정을 포함하되,상기 산화아연 시드층 상에, 상기 질산아연 용액 및 상기 헥사메틸렌테트라아민으로부터 생성되는 산화아연을 결합시킴으로써, 산화아연 결정을 성장시키는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 실리콘 기판의 상기 이미터층과 접합하는 면의 반대쪽으로 제1전극을 형성하는 과정 및 상기 이미터층의 일부분 위에 제2전극을 형성하는 과정을 추가로 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드는 상기 산화아연 시드층이 형성된 평면으로부터 수직방향으로 성장하여 형성되는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 반사방지층 형성 과정은 상기 극미세 구조물의 부피를 조정하여 상기 반사방지층의 유효굴절률을 조절하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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