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박막 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190816
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기재는 기판, 기판, 제 1 전극, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층, 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극과 광흡수층의 계면에 MxSy 또는 MxSey의 화합물층(여기서, M은 금속이며, x 및 y는 자연수임)이 존재하며, 상기 MxSy 또는 MxSey의 화합물층의 두께가 150 nm이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130099643 (2013.08.22)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-2042657-0000 (2019.11.04)
공개번호/일자 10-2015-0023103 (2015.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20191128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양기정 대한민국 대구 수성구
2 전보람 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 심준형 대한민국 대구 북구
4 손대호 대한민국 경기도 의정부시
5 강진규 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0763430-01
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0985410-38
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0509578-30
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0054749-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0389128-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0783666-44
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0783667-90
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0689542-55
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-1094405-07
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.10.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1094406-42
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0790776-79
15 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.11.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5036052-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
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번호 청구항
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CZTS계 박막 태양전지를 제조하는 방법으로서, Na 및 O를 포함하는 기판을 준비하는 단계 (S1); 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계 (S2); 상기 제 1 전극의 녹는점(Tm)을 기준으로, 1/3*Tm 내지 1/2*Tm의 온도, 400 내지 760 Torr의 압력, 및 비활성 기체 분위기에서 제 1 전극을 열처리하여 상기 기판의 Na 및 O가 상기 제1 전극으로 확산되도록 열처리하는 단계 (S3); 상기 열처리된 제 1 전극 상에 금속 전구체를 증착하는 단계 (S4); 및상기 증착된 금속 전구체층을 황화 또는 셀렌화 기체 분위기 하에서 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (S5)를 포함하고,상기 광흡수층을 형성하는 단계 (S5)에서는 제1 전극으로 확산된 Na 및 O 가 상기 광흡수층의 결정립계 내로 확산되고,상기 제 1 전극과 상기 광흡수층의 계면에 MxSy또는 MxSey의 화합물층(여기서, M은 금속이며, x 및 y는 자연수임)이 형성되며, 상기 MxSy또는 MxSey의 화합물층의 두께가 150 nm이하인 것을 특징으로 하는, 방법
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제9항에 있어서, 상기 제 1 전극이 몰리브덴(Mo) 박막인 것을 특징으로 하는, 방법
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제9항에 있어서, 상기 열처리하는 단계 (S3)의 열처리 온도가 400 ℃ 내지 600℃ 인 것을 특징으로 하는, 방법
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제9항에 있어서, 상기 열처리하는 단계 (S3)의 열처리 온도가 500 내지 600℃인 것을 특징으로 하는, 방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 (S4)는 상기 제 1 전극 상에 Zn 전구체, Sn 전구체 및 Cu 전구체를 순서대로 증착하여, CZT계 금속 전구체층을 형성하는, 방법
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제9항에 있어서, 상기 금속 전구체층은 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), CVD법(Chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착(MOCVD), 근접승화법(Close-spaced sublimation, CSS), 스프레이 피롤리시스(Spray pyrolysis), 화학 스프레이법(Chemical spraying), 스크린프린팅법(Screeen printing), 비진공 액상성막법, CBD법(Chemical bath deposition), VTD법(Vapor transport deposition), 및 전착법(electrodeposition) 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 방법
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제9항에 있어서, 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계 (S6); 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계 (S7); 및 상기 윈도우층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계 (S8)를 추가로 포함하는, 방법
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1 US10014431 US 미국 FAMILY
2 US20150114463 US 미국 FAMILY
3 US20160315212 US 미국 FAMILY

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3 US2016315212 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 대구경북과학기술원 신재생에너지기술개발사업 초저가 금속원소를 이용한 고효율(14.5%) CZTS 화합물 박막 태양전지 기술개발
2 미래창조부 대구경북과학기술원 일반사업 차세대 융복합 기술개발