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압전 기판;상기 압전 기판 상에 형성된 표면탄성파 발생부;상기 압전 기판 상에 형성된 표면탄성파 수용부; 및상기 표면탄성파 발생부와 상기 표면탄성파 수용부 사이에 형성되는 신경 세포 성장부;를 포함하는, 신경 세포 성장 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 표면탄성파 발생부는 입력 IDT(Inter-digital Transducer) 전극을 포함하고, 상기 표면탄성파 수용부;는 출력 IDT 전극을 포함하는 것인,신경 세포 성장 측정 장치
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제2항에 있어서,상기 입력 IDT 전극 및 출력 IDT 전극은, 각각, Al, Tr, Ag, Au, Ti, Si, Cr, W, Fe, Ni, Co, Pb, Nb, Ta, Zn, V 및 Al 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 신경 세포 성장 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 압전 기판은, 석영(Quartz), 리튬니오베이트(LiNbO3), 리튬탄탈레이트(LiTaO3), 리튬테트라보레이트(Li2B4O7), 바륨티타네이트(BaTiO3), 리드지르코네이트(PbZrO3), 티탄산납(PbTiO3), 티탄산지르콘산납(PZT), 산화아연(ZnO), 갈륨비소(GaAs) 및 니오브산염(niobate)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 신경 세포 성장 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 압전 기판과 상기 신경 세포 성장부는 산소 플라즈마 처리에 의해 서로 접합된 것인, 신경 세포 성장 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 신경 세포 성장부는, PDMS 및 실리콘웨이퍼를 포함하는 미세유체채널인 것인, 신경 세포 성장 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 신경 세포 성장부는, 폴리 L 리신(Poly L Lysine; PLL), 폴리 D 리신(Poly D Lysine; PDL), 라미닌, 콜라겐, 피브린, 피브로넥틴 및 마트리젤로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 세포 부착 물질 코팅을 더 포함하는 것인,신경 세포 성장 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 신경 세포 성장부는, 신경 세포 성장 인자 및 배양액을 공급하기 위한 주입부 및 신경 세포 성장 채널부를 포함하는 것인, 신경 세포 성장 측정 장치
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제8항에 있어서,상기 신경 세포 성장 채널부의 미세유체채널의 폭은, 2 내지 10,000 ㎛인 것인, 신경 세포 성장 측정 장치
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제8항에 있어서,상기 신경 세포 성장 채널부의 미세유체채널의 길이는, 1 내지 30 mm인 것인, 신경 세포 성장 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 표면 탄성파 발생부에 연결된 고주파 신호 발생기 및 상기 표면 탄성파 수용부에 연결된 주파수 측정기를 더 포함하는, 신경 세포 성장 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 표면 탄성파는, 굴곡 플레이트파(Flexural Plate wave), 러브파(Love wave), 표면 스키밍 버크파(Surface Skimming Bulk Wave) 또는 램파(Lamb wave)인 것인, 신경 세포 성장 측정 장치
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 신경 세포 성장 측정 장치를 사용하여 세포를 성장시키고 그 성장 정도를 측정하는 방법으로서,상기 신경 세포 성장부에 신경 세포 성장 인자 및 배양액을 공급하는 단계;상기 표면 탄성파 발생부에서 표면 탄성파를 발생시키는 단계; 및상기 표면 탄성파 수용부에서 표면 탄성파를 측정하는 단계;를 포함하는, 신경 세포 성장 측정 방법
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제13항에 있어서,상기 신경 세포 성장 인자 및 배양액을 공급하는 단계 이전에,상기 신경 세포 성장부에 세포 부착 물질 코팅을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것인, 신경 세포 성장 측정 방법
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제13항에 있어서,상기 표면 탄성파 발생부는 입력 IDT 전극을 포함하고, 상기 표면 탄성파 수용부는 출력 IDT 전극을 포함하고,상기 표면 탄성파를 발생시키는 단계는,상기 입력 IDT 전극에 전기 신호를 인가하여 표면 탄성파를 발생시키는 것이고,상기 표면 탄성파를 측정하는 단계는,상기 출력 IDT 전극으로부터 발생된 전기 신호를 측정하는 것인,신경 세포 성장 측정 방법
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제13항에 있어서,상기 표면 탄성파의 특성 변화를 통하여, 상기 신경 세포의 성장 정도를 측정하는 것인, 신경 세포 성장 측정 방법
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제16항에 있어서,상기 표면 탄성파 발생부는 입력 IDT 전극을 포함하고, 상기 표면 탄성파 수용부는 출력 IDT 전극을 포함하고,상기 표면 탄성파의 특성 변화는, 상기 입력 IDT 전극 및 상기 출력 IDT 전극에서의 전기적 특성 변화를 통하여 측정하는 것인, 신경 세포 성장 측정 방법
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제17항에 있어서,상기 전기적 특성 변화는, 주파수의 변화, 위상의 변화, 세기의 변화 및 클럭 수의 변화로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 변화를 포함하는 것인, 신경 세포 성장 측정 방법
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제17항에 있어서,상기 전기적 특성 변화는, 상기 신경 세포 성장부의 신경 세포의 개수, 길이 및 총중량으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나에 비례하는 것인, 신경 세포 성장 측정 방법
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