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박막 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190854
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속-황화 물질 등으로 구성된 전구체를 셀렌화 열처리 또는 황화 열처리하여 CZTS(Se)계 박막 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 고온 열처리시 발생하는 MoSe2 층을 제어하고, 광흡수층 박막 내의 S/Se의 조성비 조절이 용이한 열처리 공정 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020130115672 (2013.09.27)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1542343-0000 (2015.07.31)
공개번호/일자 10-2015-0035300 (2015.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20150806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손대호 대한민국 경기 의정부시 백석로
2 김대환 대한민국 대구 수성구
3 양기정 대한민국 대구 수성구
4 권재민 대한민국 대구 달서구
5 강진규 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0880774-57
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0117485-64
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0985426-68
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0071860-10
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0046793-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0283846-23
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0283847-79
10 등록결정서
Decision to grant
2015.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0495617-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1
2 2
제 1항에 있어서,상기 후면 전극층이 Mo인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속 전구체가 Cu 전구체, Zn 전구체 및 Sn 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 3항에 있어서, Cu 전구체가 Cu, CuS 또는 CuSe이고, Zn 전구체가 Zn, ZnS 또는 ZnSe이며, Sn 전구체가 Sn, SnS 또는 SnSe인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속 전구체가 스퍼터링 공정, 증발 공정 또는 용액 공정에 의해 후면 전극층 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 CZTS(Se)계 박막 태양전지
9 9
제 8항에 있어서,광흡수층 내의 S/Se의 조성비가 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 대구경북과학기술원 신재생에너지기술개발사업 초저가 금속원소를 이용한 고효율(14.5%) CZTS 화합물 박막 태양전지 기술개발
2 미래창조부 대구경북과학기술원 일반사업 차세대 융복합 기술개발