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기판에 배면전극층을 형성하는 단계(단계 1);상기 배면전극층 상에 CZTS계 광흡수층을 형성하는 단계(단계 2);상기 CZTS계 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계(단계 3);상기 버퍼층을 질소 분위기에서 열처리하는 단계(단계 4);상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계(단계 5); 및상기 윈도우층을 질소 분위기에서 열처리하는 단계(단계 6);를 포함하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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기판에 배면전극층을 형성하는 단계(단계 1);상기 배면전극층 상에 CZTS계 광흡수층을 형성하는 단계(단계 2);상기 CZTS계 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계(단계 3);상기 버퍼층을 질소 분위기에서 열처리하는 단계(단계 4); 및상기 열처리된 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계(단계 5)를 포함하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 버퍼층 및 윈도우층의 열처리는 200 내지 700 ℃의 온도에서 5분 내지 120분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 버퍼층 및 윈도우층의 열처리는 100 내지 760 Torr의 압력으로 수행하는 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 버퍼층은 CdS, ZnS, Zn(O,S), CdZnS, Inx(OH,S)y, ZnSe 및 Zn1-xMgxO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 버퍼층은 진공공정, 열 증착공정 및 화학적 용액 성장법(Chemical Bath Deposition)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 버퍼층의 두께는 10 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 윈도우층은 ZnO:Al, ZnO:B(BZO) 및 ZnO:Ga(GZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 윈도우층은 진공공정, 열 증착공정 및 화학적 용액 성장법(Chemical Bath Deposition)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 윈도우층의 두께는 100 내지 1000 nm인 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 광흡수층은 CZTS, CZTSe 및 CZTSS로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 광흡수층은 400 내지 700 ℃의 온도에서 5분 내지 120분 동안 황화공정(sulfurization)을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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