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티타늄(Ti) 기판 상부에 적층된 이산화티타늄(TiO2) 나노 튜브를 포함하고,상기 이산화티타늄 나노 튜브는 측벽면의 최소한 일부에 기공이 형성된 것을 특징으로 하는 광전극
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제1항에 있어서,상기 이산화티타늄 나노 튜브는 티타늄(Ti) 기판을 양극 산화하여 형성시킨 것을 특징으로 하는 광전극
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제1항에 있어서,상기 이산화티탄 나노 튜브의 측벽면은 화학적 식각 또는 이온 식각에 의해 기공이 형성되는 것을 특징으로 하는 광전극
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제1항에 있어서,상기 이산화티타늄 나노 튜브 측벽면에 형성된 기공의 크기는 20 내지 100 ㎚인 것을 특징으로 하는 광전극
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제1항에 있어서,상기 이산화티타늄 나노 튜브의 두께는 5 내지 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 광전극
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이산화티타늄 나노 튜브를 준비하는 단계(단계 1);불산(HF)를 포함하는 식각 용액을 준비하는 단계(단계 2); 및상기 단계 1에서 준비된 이산화티타늄 나노 튜브를 상기 단계 2에서 준비된 식각 용액에 침지시켜 측벽면에 기공을 형성하는 단계(단계 3);을 포함하는 제1항에 따른 광전극의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 단계 1의 이산화티타늄 나노 튜브를 준비하는 단계는,산 수용액에 티타늄(Ti) 기판 및 백금(Pt) 전극을 침지시키는 단계(단계 a); 및상기 단계 a에서 침지된 티타늄 기판을 양극으로, 백금 전극을 음극으로 사용하여 전압을 인가함으로써 양극 산화시키는 단계(단계 b);를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 단계 b의 양극 산화는 5 내지 60 V의 전압을 인가하여 수행하는 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 단계 2의 식각 용액의 pH는 4 내지 8인 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 단계 3에서 이산화티타늄 나노 튜브를 침지시키는 시간은 1 내지 60 분인 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제1항의 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지
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