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하기 단계를 포함하는, 물에 분산되는 p-타입 프탈로시아닌 나노구조체 및 n-타입 반도체 나노입자의 혼합층으로 구성된 유기 태양전지용 광활성층을 제조하는 방법:(a) 프탈로시아닌 파우더를 증발, 응축, 및 재결정화하여 물에 분산되는 p-타입 프탈로시아닌 나노구조체를 수득하는 단계; 및(b) (a) 단계에서 수득된 p-타입 프탈로시아닌 나노구조체를 물에 분산 시킨 후 n-타입 반도체 나노입자를 혼합하여 광활성층을 형성하는 단계
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제 1 항에 있어서, p-타입 프탈로시아닌의 중심 금속이 Cu, Zn, Fe, Co, Ni, Pd 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 유기 태양전지용 광활성층을 제조하는 방법
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제 1 항에 있어서, n-타입 반도체 나노입자가 Si, Ge, GaAs, GaP, AlSb, InP, In2Se3, In2Te3, CdS, CdSe, CdTe, ZnSe, ZnTe, Bi2S3, Cu2S, MoSe2, WSe2, SiOx, TiO2, Cu2O, CuO, GaN 및 ZnO로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 무기 반도체 물질인 유기 태양전지용 광활성층을 제조하는 방법
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제 1 항에 있어서, n-타입 반도체 나노입자가 그라펜(graphene), 풀러렌(fullerene), 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브 묶음(bundle)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 유기 반도체 물질인 유기 태양전지용 광활성층을 제조하는 방법
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제 1 항에 있어서, 물에 분산되는 p-타입 프탈로시아닌 나노구조체가 나노와이어, 나노로드 또는 나노리본 형태인 유기 태양전지용 광활성층을 제조하는 방법
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