맞춤기술찾기

이전대상기술

실리콘 와이어 구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190943
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 웨이퍼 위에 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 마스크층으로 덮이지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 일부를 금속촉매 화학적 식각하는 단계; 상기 금속촉매 화학적 식각 이후 상기 실리콘 웨이퍼로부터 잔존 금속을 제거하는 단계; 상기 잔존 금속 제거 이후 상기 마스크층을 제거하여 에치 피트가 형성된 실리콘 웨이퍼를 얻는 단계; 및 상기 에치 피트가 형성된 상기 실리콘 웨이퍼를 전기화학적 식각 처리하여 실리콘 와이어 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 와이어 구조체의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/02019(2013.01) H01L 21/02019(2013.01)
출원번호/일자 1020100077669 (2010.08.12)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1264877-0000 (2013.05.09)
공개번호/일자 10-2012-0015512 (2012.02.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.12)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최호진 대한민국 대구광역시 북구
2 장환수 대한민국 대구광역시 달서구
3 김재현 대한민국 대구광역시 달서구
4 백성호 대한민국 대구광역시 동구
5 김성빈 대한민국 인천광역시 서구
6 오병윤 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0518322-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0523423-96
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0857119-63
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0996022-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0995924-04
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0314435-21
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0569481-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0724612-67
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0075326-56
13 등록결정서
Decision to grant
2013.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0211563-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼 위에 마스크층을 패터닝하는 단계;상기 마스크층으로 덮이지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 일부를 금속촉매 화학적 식각하는 단계;상기 금속촉매 화학적 식각 이후 상기 실리콘 웨이퍼로부터 잔존 금속을 제거하는 단계;상기 잔존 금속 제거 이후 상기 마스크층을 제거하여 에치 피트가 형성된 실리콘 웨이퍼를 얻는 단계; 및상기 에치 피트가 형성된 상기 실리콘 웨이퍼를 전기화학적 식각 처리하여 실리콘 와이어 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 와이어 구조체의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 패터닝은 포토리소그래피 공정 또는 자기조립 특성을 갖는 폴리스티렌 콜로이드를 증착하여 마스크 층으로 사용하는 폴리스티렌 콜로이드 코팅에 의해 수행되는 실리콘 와이어 구조체의 제조방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 금속촉매 화학적 식각은 금, 은, 팔라듐 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 귀금속의 염을 사용하여 수행되는 실리콘 와이어 구조체의 제조방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 금속촉매 화학적 식각은 상기 실리콘 웨이퍼를 귀금속 촉매의 염과 산의 혼합용액에 담지하여 수행되는 실리콘 와이어 구조체의 제조방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 금속촉매 화학적 식각은 상기 실리콘 웨이퍼를 귀금속 촉매로 선증착한 후 산처리하는 2단계 공정으로 수행되는 실리콘 와이어 구조체의 제조방법
6 6
제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 실리콘 와이어 구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.