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제1기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;제1전극 상에 이산화티탄을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층을, 물과 유기용매의 혼합용매를 사용하고 금속탄산염 및 산성화합물을 포함하는 침적용액에 침적하여 상기 반도체층의 표면에 금속탄산염과 금속염을 동시에 도입하는 단계, 여기서 상기 혼합용매 내 유기용매는 혼합용매 전체 부피의 0~10 부피%임;금속탄산염과 금속염이 동시에 도입된 상기 반도체층에 염료를 도입하는 단계;제2기판 상에 상기 제1전극에 대향하여 제2전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 전해질을 도입하는 단계;를 포함하는 유무기 하이브리드 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속탄산염은 CaCO3, MgCO3, BaCO3, Na2CO3, Li2CO3, K2CO3 및 Cs2CO3 로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 태양전지의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 산성화합물은 HCl, HNO3, H2SO4, CH3COOH, HCOOH, C2H5COOH 으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속염은 Ca(OCOCH3)2, Mg(OCOCH3)2, Ba(OCOCH3)2, Na(OCOCH3), Li(OCOCH3), K(OCOCH3), Cs(OCOCH3) 중 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극과 상기 반도체층 사이에 재결합 방지층과, 상기 반도체층과 상기 전해질 사이에 광산란층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유무기 하이브리드 태양전지의 제조방법
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제1기판 상에 형성된 제1전극;제1전극 상에 형성된, 이산화티탄을 포함하는 반도체층;상기 반도체층을 금속탄산염 및 산성화합물을 포함하는 침적용액에 침적하여 상기 반도체층의 표면에 동시에 도입된 금속염과 금속탄산염;금속염과 금속탄산염이 동시에 도입된 상기 반도체층에 도입된 염료;제2기판 상에 상기 제1전극에 대향하여 형성된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 도입된 전해질;을 포함하는 유무기 하이브리드 태양전지
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제6항에 있어서,상기 금속염은 Ca(OCOCH3)2, Mg(OCOCH3)2, Ba(OCOCH3)2, Na(OCOCH3), Li(OCOCH3), K(OCOCH3), Cs(OCOCH3) 중 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 태양전지
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제6항에 있어서,상기 제1전극과 상기 반도체층 사이에 형성된 재결합 방지층을 추가로 포함하는 유무기 하이브리드 태양전지
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제6항에 있어서, 상기 반도체층과 상기 전해질 사이에 형성된 광산란층을 추가로 포함하는 유무기 하이브리드 태양전지
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물과 유기용매의 혼합용매에 금속탄산염을 가한 후 산성화합물을 첨가하여 침적용액을 제조하는 단계, 여기서 상기 혼합용매 내 유기용매는 혼합용매 전체 부피의 0~10 부피%임; 및상기 침적용액에 이산화티탄을 포함하는 반도체층이 형성된 기판을 침적시켜 상기 이산화티탄 표면에 금속염 및 금속탄산염을 동시에 코팅하는 단계;를 포함하는 유무기 하이브리드 태양전지의 반도체층 제조방법
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제10항에 있어서,상기 금속탄산염은 CaCO3, MgCO3, BaCO3, Na2CO3, Li2CO3, K2CO3 및 Cs2CO3 로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 태양전지의 반도체층 제조방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 산성화합물은 HCl, HNO3, H2SO4, CH3COOH, HCOOH, C2H5COOH 으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 태양전지의 반도체층 제조방법
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제10항에 있어서,상기 금속염은 Ca(OCOCH3)2, Mg(OCOCH3)2, Ba(OCOCH3)2, Na(OCOCH3), Li(OCOCH3), K(OCOCH3), Cs(OCOCH3) 중 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 태양전지의 반도체층 제조방법
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