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광흡수층 밴드갭 조절을 통한 CZTS 태양전지의 제조 방법

기술번호 : KST2015190967
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 금속 전구체를 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및 도펀트 물질로 상기 광흡수층을 도핑하는 열처리 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 상기 열처리 단계를 통하여, 박막 태양전지의 광흡수층이 최적의 효울을 나타내는 밴드갭을 가지도록 조절하는, 박막 태양전지 제조방법 및 제조된 박막 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 31/0272 (2006.01) H01L 31/0264 (2006.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/046 (2014.01)
CPC	H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자	1020140149048 (2014.10.30)
출원인	재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자	10-1635955-0000 (2016.06.28)
공개번호/일자	10-2015-0051164 (2015.05.11) 문서열기
공고번호/일자	(20160707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020130131700 \| 2013.10.31
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.10.30)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	재단법인대구경북과학기술원	대한민국	대구 달성군 현

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	양기정	대한민국	대구광역시 수성구
2	심준형	대한민국	대구광역시 북구
3	손대호	대한민국	경기도 의정부시
4	김대환	대한민국	대구광역시 수성구
5	강진규	대한민국	대구광역시 수성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 남앤남	대한민국	서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	재단법인대구경북과학기술원	대한민국	대구 달성군 현

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.10.30	수리 (Accepted)	1-1-2014-1045434-00
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.05.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.11.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2015-0105743-14
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.12.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0883716-50
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.02.16	수리 (Accepted)	1-1-2016-0152264-67
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.02.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0152280-98
7	등록결정서 Decision to grant	2016.06.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0453759-28
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5260250-39
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.18	수리 (Accepted)	4-1-2020-5134633-04

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 금속 전구체를 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및GeS 및 GeSe 중에서 선택되는 적어도 하나의 도펀트 물질로 상기 광흡수층을 도핑하는 황화 열처리 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조방법으로서, 상기 열처리 단계는 2 구역 퍼니스(2-zone furnace) 내에서 이루어지고, 퍼니스의 제 1 구역에는 황 소스가 위치하고, 제 1 구역 보다 높은 온도를 가지는 퍼니스의 제 2 구역에는 도펀트 물질과 상기 광흡수층이 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
2	2 금속 전구체를 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및GeS 및 GeSe 중에서 선택되는 적어도 하나의 도펀트 물질로 상기 광흡수층을 도핑하는 셀렌화 열처리 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조방법으로서, 상기 열처리 단계는 밀폐된 퍼니스 내에서 이루어지고, 상기 퍼니스에는 상기 광흡수층, 셀레늄 소스 및 도펀트 물질이 위치하고, 퍼니스 내에 광흡수층이 위치하는 높이가 셀레늄 소스 및 도펀트 물질의 위치보다 높은 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
3	3 삭제
4	4 제 1항에 있어서, 상기 퍼니스의 제 1 구역의 온도가 200℃ 내지 350℃인 박막 태양전지 제조방법
5	5 제 1항에 있어서, 상기 퍼니스의 제 2 구역의 온도가 450℃ 내지 800℃인 박막 태양전지 제조방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 황 소스가 S 또는 H2S 가스인 박막 태양전지 제조방법
7	7 제 2항에 있어서, 상기 셀레늄 소스가 Se 또는 SeS2인 박막 태양전지 제조방법
8	8 제 2항에 있어서, 상기 밀폐된 퍼니스의 온도가 450℃ 내지 800℃인 박막 태양전지 제조방법
9	9 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 증착이 물리적 기상 증착법(PVD) 중의 직류 스퍼터(DC Sputter), 직류 마그네트론 스퍼터(DC Magnetron Sputter), 직류 불균형 마그네트론 스퍼터(DC Unbalanced Magnetron Sputter), 펄스 직류 불균형 마그네트론 스퍼터(Pulse DC Unbalanced Magnetron Sputter), 무선 주파수 스퍼터(RF Sputter), 아크 이온 플래팅(Arc Ion Plating), 전자 빔 증발 증착(Electron-Beam Evaporation), 이온 빔 증착(Ion-Beam Deposition), 이온 빔 보조 증착(Ion-Beam Assisted Deposition) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 증착법으로 수행되는 박막 태양전지 제조방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 증착이 DC 스퍼터(DC Sputter)의 증착법으로 수행되는 박막 태양전지 제조방법
11	11 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광흡수층이 CZTS 또는 CZTSe 계열의 광흡수층인 박막 태양전지 제조방법
12	12 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 열처리 단계가 5분 내지 60분 동안 수행되는 박막 태양전지 제조방법
13	13 제 1항, 제 2항 및 제 4항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 박막 태양전지

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	대구경북과학기술원	신재생에너지기술개발사업	초저가 금속원소를 이용한 고효율(14.5%) CZTS 화합물 박막 태양전지 기술개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1635955-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20141030 출원 번호 : 1020140149048 공고 연월일 : 20160707 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160623 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 31/0445 발명의 명칭 : 광흡수층 밴드갭 조절을 통한 CZTS 태양전지의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2016년 06월 29일	납입
제 4 년분	금 액	152,000 원	2019년 03월 25일	납입
제 5 년분	금 액	152,000 원	2020년 03월 24일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.10.30	수리 (Accepted)	1-1-2014-1045434-00
2	선행기술조사의뢰서	2015.05.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2015.11.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2015-0105743-14
4	의견제출통지서	2015.12.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0883716-50
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.02.16	수리 (Accepted)	1-1-2016-0152264-67
6	[명세서등 보정]보정서	2016.02.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0152280-98
7	등록결정서	2016.06.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0453759-28
8	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5260250-39
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.18	수리 (Accepted)	4-1-2020-5134633-04

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