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태양 전지 형성용 기판상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층상에 태양 전지층을 형성하고, 태양 전지층상에 선택적으로 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 포토레지스트를 마스크로 상기 태양 전지층을 선택적으로 식각하고 식각된 측면에 지지대 역할을 하는 앵커를 형성하는 단계;상기 희생층을 제거하고, 탄성 중합체가 도포된 스탬프를 태양 전지층과 접촉시키고, 태양 전지 형성용 기판 및 앵커를 제거하는 단계;상기 스탬프를 이용하여 상기 태양 전지층을 유연 기판에 적층시키고, 스탬프를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 무기물 태양전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 희생층을 SiO2, SiN, SiON, Y2O3, HfO2, Al2O3, Ta2O5, ZrO를 포함하는 옥사이드 및 질화물 반도체들중에 선택된 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유연 무기물 태양전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 태양 전지층상에 선택적으로 포토레지스트를 도포하는 단계에서, 선택 영역만 포토레지스트를 도포하기 위하여 포토레지스트가 도포된 스탬프를 이용하는 것을 특징으로 하는 유연 무기물 태양전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 식각된 측면에 지지대 역할을 하는 앵커를 형성하는 단계에서, 앵커를 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유연 무기물 태양전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 희생층을 제거하는 공정을 진행하고 지지대 역할을 하는 앵커를 경화시키기 위하여 120℃ ~ 180℃의 온도로 베이킹 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 유연 무기물 태양전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 유연 기판은 실리콘 기반의 무기물 반도체를 포함하는 물질군에서 선택된 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유연 무기물 태양전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 태양 전지층은,항산화 특성 및 저저항 특성을 갖는 금속 물질로 이루어진 후면 전극과,무기물 물질 CIS(CuInSe2) 계열인 CIGS(Cu(In,Ga)Se2), CZTS(CuZnSnS4), CZTSe(CuZnSnSe2)를 포함하는 물질군에서 선택된 것이거나, 실리콘 기반의 물질로 형성된 광흡수층과,CdS, ZnS 와 같은 밴드갭 조절 및 캐리어의 이동을 원활히 하는 물질들 중에서 선택된 물질로 형성된 완충층과,n형 물질층 그리고 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 AZO으로 형성된 투명 전극 및 상부 금속 전극층이 차례로 적층된 것을 특징으로 하는 유연 무기물 태양전지의 제조 방법
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