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광수확능력이 향상된 전고상 광 감응 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191007
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광수확능력이 향상된 전고상 광 감응 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 투명기판, 투명전극 및 반도체 산화물층이 순차적으로 적층되고, 상기 반도체 산화물층에 흡착된 광 감응제를 포함하는 광 전극부; 상대전극부; 및 상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 패턴이 형성된 홀 전도체;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따른 전고상 광 감응형 태양전지는 패터닝된 홀 전도체를 포함함에 따라 광 수득률 향상 및 전해질과 전극의 접촉면적 증가로 인한 저항 감소로 인하여 광전변환효율을 향상시킬 수 있으며, 종래의 전고상 광 감응형 태양전지보다 더욱 고 효율의 광 감응 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020120127458 (2012.11.12)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1467991-0000 (2014.11.26)
공개번호/일자 10-2014-0061577 (2014.05.22) 문서열기
공고번호/일자 (20141203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심교승 대한민국 대구 달서구
2 성시준 대한민국 대구 수성구
3 김대환 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0927595-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0091131-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0064231-41
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0296834-45
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0296833-00
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0518710-81
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0730460-32
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0730459-96
11 등록결정서
Decision to grant
2014.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0599815-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지
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3 3
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8 8
제 1항에 있어서,상기 상대전극은 금(Au), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 아연(Zn), 실리콘(Si), 주석(Sn), 텅스텐(W) 및 지르코늄(Zr) 으로 이루어진 산화물 중 선택되는 1종 이상의 전도성 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전고상 광 감응형 태양전지
9 9
유리 기판상에 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층을 순차적으로 형성한후, 상기 산화티탄층에 N719를 흡착시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 N719가 흡착된 산화티탄층 상에 P3HT(Poly-3-hexylthiophene)를 형성한 후, 상기 P3HT(Poly-3-hexylthiophene)를 삼각 요철 형태로 패터닝 하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 삼각 요철 형태로 패터닝 된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 상에 상대전극을 형성시키는 단계(단계 3);를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 단계 3의 상대전극은 금(Au), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 아연(Zn), 실리콘(Si), 주석(Sn), 텅스텐(W) 및 지르코늄(Zr) 으로 이루어진 산화물 중 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전고상 광 감응형 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 대구경북과학기술원 일반사업 차세대유기에너지융합기술개발