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전도성 기판;상기 전도성 기판 상부에 적층된 금속 산화물 박막을 포함하는 재결합 방지층;상기 재결합 방지층 상부에 적층된 나노 로드 집합체 또는 나노 튜브로 구성된 3 차원 금속 산화물 구조체; 및상기 3 차원 금속 산화물 구조체 내부의 빈 공간에 채워지는 금속 산화물 나노 입자;를 포함하되,상기 금속 산화물은 이산화티타늄(TiO2) 또는 산화아연(ZnO)인 것을 특징으로 하는 고체형 초박막흡수층 태양전지용 광전극
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제1항에 있어서,상기 3 차원 금속 산화물 구조체 및 금속 산화물 나노 입자는 서로 다른 금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체형 초박막흡수층 태양전지용 광전극
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제1항에 있어서,상기 재결합 방지층의 두께는 5 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 고체형 초박막흡수층 태양전지용 광전극
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제1항에 있어서,상기 3 차원 금속 산화물 구조체의 두께는 300 내지 600 nm인 것을 특징으로 하는 고체형 초박막흡수층 태양전지용 광전극
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 입자의 크기는 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 고체형 초박막흡수층 태양전지용 광전극
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전도성 기판 상부에 금속 산화물을 코팅하여 재결합 방지층을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 재결합 방지층 상부에 수열 합성법 또는 양극 산화법을 이용하여 나노 로드 집합체 또는 나노 튜브로 구성된 3 차원 금속 산화물 구조체를 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 형성된 3 차원 금속 산화물 구조체 내부의 빈 공간에 용액 공정을 이용하여 금속 산화물 나노 입자를 채우는 단계(단계 3);를 포함하는 제1항에 따른 고체형 초박막흡수층 태양전지용 광전극의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 금속 산화물은 이산화티타늄(TiO2) 또는 산화아연(ZnO)인 것을 특징으로 하는 고체형 초박막흡수층 태양전지용 광전극의 제조방법
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제6항의 고체형 초박막흡수층 태양전지용 광전극;상기 광전극 상부에 적층되는 초박막 광흡수체;상기 초박막 광흡수체 상부에 적층되는 고체형 정공수송체; 및상기 정공 수송체 상부에 적층되는 금속 전극 또는 전도성 기판;을 포함하는 고체형 초박막흡수층 태양전지
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제8항에 있어서,상기 초박막 광흡수체는 CuO, PbS, ZnS, CdS, CdTe, CuInS, Sb2S3, InP, CdSe, Bi2S3 및 Sb2S3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 고체형 초박막흡수층 태양전지
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제8항에 있어서, 상기 정공 수송체는 P3HT, PCPDTBT, PTAA 및 CuSCN로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 고체형 초박막흡수층 태양전지
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