| 1 |
1
구리 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체 및 황 또는 셀레늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전구체와 용매를 혼합하되, 유기물 바인더를 포함하지 않는 CZTS계 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계(단계 2);상기 코팅된 박막을 200 내지 400 ℃의 온도에서 전열처리하는 단계(단계 3); 및상기 전열처리된 박막을 500 내지 600 ℃의 온도로 황 또는 셀레늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 가스분위기에서 열처리하는 단계(단계 4);를 포함하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 단계 1의 구리 전구체는 CuCl, CuCl2 및 CuCl2·H2O로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 클로라이드계 물질인 것을 특징으로 하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 아연 전구체는 ZnCl2인 것을 특징으로 하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 주석 전구체는 SnCl2, SnCl2·H2O 및 SnCl4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 클로라이드계 물질인 것을 특징으로 하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 황 전구체는 티오우레아(CH4N2S), 황화암모늄 용액(S(NH4)2), 황화암모늄((NH4)2SO4), 디메틸 설파이드((CH3)2S) 디에틸 설파이드((C2H5)2S), 2-메틸-2-프로판티올((CH3)3SH), 2-메틸-1-프로판티올((CH3)2CHCH2SH), 1-부탄티올(CH3(CH2)3SH), 2-부탄티올(CH3CH2CH(SH)CH3), 및 티오아세트아미드(CH3CSNH2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 셀레늄 전구체는 셀레노우레아(SeC(NH2)2), 1-1-디메틸-2-셀레노우레아((CH3)2NC(Se)NH2), SeCl4, 디메틸 셀레나이드((CH3)2Se), 디에틸 셀레나이드(Se(C2H5)2), 소듐 셀레나이트(Na2SeO3) 및 아셀렌산 (H2SeO3)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 단계 1의 용매는 초순수 및 알코올계 용매로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 알코올계 용매는 C1 내지 C3 알콜로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 코팅은 스핀코팅, 딥코팅, 롤코팅, 스크린 코팅, 분무코팅, 스핀 캐스팅, 흐름코팅, 스크린 인쇄, 잉크젯 및 드롭캐스팅으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 10 |
10
구리 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체 및 황 또는 셀레늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전구체와 용매로 이루어진 CZTS계 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계(단계 2);상기 코팅된 박막을 200 내지 400 ℃의 온도에서 전열처리하는 단계(단계 3); 및상기 전열처리된 박막을 500 내지 600 ℃의 온도로 황 또는 셀레늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 가스분위기에서 열처리하는 단계(단계 4);를 포함하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
