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도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191053
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 적어도 하나 이상의 마이크로채널, 상기 마이크로채널과 연결되는 적어도 하나 이상의 나노채널, 상기 마이크로채널 및 상기 나노채널 내에서 전장을 유도하기 위한 전극을 포함하며, 상기 나노채널은 도핑된 반도체로 형성된 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치를 제공한다.
Int. CL G01N 27/26 (2006.01) G01N 33/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01)
CPC G01N 27/26(2013.01) G01N 27/26(2013.01) G01N 27/26(2013.01)
출원번호/일자 1020140025873 (2014.03.05)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0104308 (2015.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.05)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문상준 대한민국 대구 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***, 대구
2 문현민 대한민국 대구 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***, 대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.05 취하 (Withdrawal) 1-1-2014-0215121-89
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0542538-76
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0872542-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0872540-17
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0105523-43
6 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)
2016.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0195748-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나 이상의 마이크로채널;상기 마이크로채널과 연결되는 적어도 하나 이상의 나노채널;상기 마이크로채널 및 상기 나노채널 내에서 전장을 유도하기 위한 전극을 포함하며, 상기 나노채널은 도핑된 반도체로 형성된 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
2 2
청구항 1에서, 상기 도핑된 반도체는,P타입(P-Type) 반도체로 형성된 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
3 3
청구항 2에서, 상기 P타입(P-Type) 반도체는,실리콘(Si)에 도핑된 붕소(B)로 구성된 반도체인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
4 4
청구항 1에서, 상기 도핑된 반도체는,N타입(N-Type) 반도체로 형성된 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
5 5
청구항 4에서, 상기 N타입(N-Type) 반도체는,실리콘(Si)에 도핑된 인(P)으로 구성된 반도체인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
6 6
청구항 1에서, 상기 마이크로채널은,폭이 1~500㎛인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
7 7
청구항 1에서, 상기 마이크로채널은,깊이가 1~500㎛인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
8 8
청구항 1에서, 상기 나노채널은,폭이 1~50㎛인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
9 9
청구항 1에서, 상기 나노채널은,깊이가 10~100nm인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
10 10
청구항 1에서,상기 전극은,전압이 인가되며, 상기 인가되는 전압은 50mV 내지 500V 인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
11 11
청구항 1에서,상기 전극은,상기 마이크로채널의 애노드(anode)측과 캐소드(cathode)측에 동일한 전압을 인가하는 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
12 12
청구항 1에서,상기 전극은,상기 마이크로채널의 캐소드(cathode)측에 비해 애노드(anode)측에 더 큰 전압을 인가하는 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
13 13
청구항 1에서,상기 마이크로채널 및 상기 나노채널은, 리소그래피 및 에칭 공정에 의해 형성되는 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
14 14
청구항 1에서,상기 마이크로채널 및 상기 나노채널은, 기하학적 형태로 배열되는 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
15 15
청구항 1에서,상기 마이크로채널 및 상기 나노채널은, 서로 수직한 형태로 배열되는 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치
16 16
반도체 기판상에 적어도 하나 이상의 나노채널을 형성하는 단계;상기 나노채널과 연결되는 적어도 하나 이상의 마이크로채널을 형성하는 단계; 상기 나노채널 및 상기 마이크로채널이 형성된 기판을 도핑하여 도핑된 반도체를 형성하는 단계; 및상기 나노채널 및 상기 마이크로채널의 상부를 밀봉하기 위한 밀봉기판을 상기 나노채널 및 상기 마이크로채널이 형성된 기판에 접합하는 단계;를 포함하는 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
17 17
청구항 16에서,상기 기판은,실리콘(Si)으로 형성되는 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
18 18
청구항 16에서, 상기 도핑된 반도체는,P타입(P-Type) 반도체로 형성된 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
19 19
청구항 18에서, 상기 P타입(P-Type) 반도체는,실리콘(Si)에 도핑된 붕소(B)로 구성된 반도체인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
20 20
청구항 16에서, 상기 도핑된 반도체는,N타입(N-Type) 반도체로 형성된 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
21 21
청구항 20에서, 상기 N타입(N-Type) 반도체는,실리콘(Si)에 도핑된 인(P)으로 구성된 반도체인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
22 22
청구항 16에서, 상기 마이크로채널은,폭이 1~500㎛인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
23 23
청구항 16에서, 상기 마이크로채널은,깊이가 1~500㎛인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
24 24
청구항 16에서, 상기 나노채널은,폭이 1~50㎛인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
25 25
청구항 16에서, 상기 나노채널은,깊이가 10~100nm인 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
26 26
청구항 16에서, 상기 접합하는 단계는,양극접합(anodic bonding)에 의해 접합하는 단계를 포함하는 도핑된 반도체를 이용한 동전기적 농축장치의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 대구경북과학기술원 신진연구지원사업 국소 표면 공명 영상(LSPR-CCD)을 이용한 무표식 고속 바이러스 수치화 및 시료동결 기술