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실리콘 태양전지 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191059
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 (a) 실리콘 기판 위에 상기 실리콘 기판과 반대 도전형의 에미터층을 형성하는 단계, (b) 상기 에미터층 위에 콜로이드 입자의 자기조립 단층막을 형성시키는 단계, (c) 상기 자기조립 단층막을 마스크로 하여 금속촉매 화학식각을 수행하여 상기 에미터층의 표면을 텍스쳐링하는 단계, (d) 상기 금속촉매 화학식각 후 잔류하는 금속 입자 및 상기 자기조립 단층막을 제거하는 단계를 포함하는 실리콘계 태양전지의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020110020795 (2011.03.09)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0102908 (2012.09.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백성호 대한민국 대구광역시 동구
2 김재현 대한민국 대구광역시 달서구
3 최호진 대한민국 대구광역시 달서구
4 장환수 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0169660-48
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0334990-18
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0597964-29
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0597965-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0759585-20
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.01.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0026763-57
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0098310-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 기판 위에 상기 실리콘 기판과 반대 도전형의 에미터층을 형성하는 단계;(b) 상기 에미터층 위에 콜로이드 입자의 자기조립 단층막을 형성시키는 단계;(c) 상기 자기조립 단층막을 마스크로 하여 금속촉매 화학식각을 수행하여 상기 에미터층의 표면을 텍스쳐링하는 단계; 및(d) 상기 금속촉매 화학식각 후 잔류하는 금속 입자 및 상기 자기조립 단층막을 제거하는 단계를 포함하는 실리콘계 태양전지의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 금속촉매 화학식각은 금속촉매의 염 및 산을 포함하는 식각액으로 상기 에미터층을 처리하여 수행하는 실리콘계 태양전지의 제조방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 (a) 내지 상기 (d) 단계는 습식방식에 의해 수행되는 실리콘계 태양전지의 제조방법
4 4
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된 실리콘계 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.