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고분자 브러쉬를 이용한 고성능 및 안정한 용액공정용 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191133
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유전체 표면을 개질하여 고효율의 전계효과 트랜지스터를 제조한는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 유전체 표면에 하이드록시로 말단이 기능화된 폴리머 브러쉬를 그래프팅하여 표면을 개질하여, 고성능의 안정한 전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 산화 기판 위에 하이드록시기를 갖는 고분자를 스핀 코팅하여 고분자 브러쉬를 형성하는 단계; 고분자 브러쉬가 형성된 기판을 가열 및 세정하는 단계; 및 유기반도체 필름을 상기 기판 위에 스핀 코팅하는 단계를 포함하는 전계효과 트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0003(2013.01)
출원번호/일자 1020100106795 (2010.10.29)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1200796-0000 (2012.11.07)
공개번호/일자 10-2012-0045328 (2012.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20121113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조정호 대한민국 서울특별시 서초구
2 이동렬 대한민국 서울특별시 종로구
3 류두열 대한민국 경기도 고양시 덕양구
4 박송희 대한민국 경기도 광명시 도덕로**번길
5 박경민 대한민국 경기도 광명시 덕단이로 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김홍균 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 *** (문정동) B동 ***호(케이아이피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0705109-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091198-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0105383-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0303909-67
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0303910-14
7 등록결정서
Decision to grant
2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0490856-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5110636-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서,산화 기판 위에 하이드록시기를 갖는 고분자를 스핀 코팅하여 고분자 브러쉬를 형성하는 단계;고분자 브러쉬가 형성된 기판을 가열 및 세정하는 단계; 및유기반도체 필름을 상기 기판 위에 스핀 코팅하는 단계를 포함하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 유기반도체는 펜타센, 폴리(3-헥실티오펜), 트리에틸실릴에티닐 안트라디티오펜(TES-ADT), TIPS-펜타센(TIPS-Pentacene), F8T2, PTCDI 및 PQT12로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 고분자는 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리에틸렌옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 가열 및 세정하는 단계의 가열은 고분자의 유리전이온도 이상에서 24~72시간동안 진공에서 가열하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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