| 1 |
1
게이트와, 상기 게이트의 일 측에 형성되는 제1 소스와, 상기 게이트의 타 측에 형성되는 제1 드레인을 포함하는 제1 트랜지스터; 및상기 제1 소스와 대향하여 상기 게이트의 일 측에 형성되는 제2 드레인과, 상기 제1 드레인과 대향하여 상기 게이트의 타 측에 형성되는 제2 소스를 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하며,상기 제1 소스와 상기 제2 드레인, 상기 제1 드레인과 상기 제2 소스는 서로 이격되어 형성되고, 상기 제1 트랜지스터의 전류 방향과 상기 제2 트랜지스터의 전류 방향이 서로 반대인 멀티 트랜지스터
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터를 하나의 트랜지스터 세트로 하여, 복수의 트랜지스터 세트가 병렬로 연결되고, 서로 이웃하는 게이트 간에는 소스 또는 드레인을 공유하는 멀티 트랜지스터
|
| 5 |
5
제1 게이트와, 상기 제1 게이트의 일 측에 형성되는 제1 소스와, 상기 제1 게이트의 타 측에 형성되는 제1 드레인을 포함하는 제1 트랜지스터; 및제2 게이트와, 상기 제1 소스와 대향하여 상기 제2 게이트의 일 측에 형성되는 제2 드레인과, 상기 제1 드레인과 대향하여 상기 제2 게이트의 타 측에 형성되는 제2 소스를 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하며,상기 제1 소스와 상기 제2 드레인, 상기 제1 드레인과 상기 제2 소스는 서로 이격되어 형성되고, 상기 제1 드레인 및 제2 드레인의 길이가 상기 제1 소스 및 제2 소스의 길이 보다 길거나 짧게 형성되며, 상기 제1 트랜지스터의 전류 방향과 상기 제2 트랜지스터의 전류 방향이 서로 반대인 멀티 트랜지스터
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터를 하나의 트랜지스터 세트로 하여, 복수의 트랜지스터 세트가 길이 방향으로 연결되고, 서로 이웃하는 제1 게이트 간에는 상기 제1 소스 또는 제1 드레인을 공유하고, 서로 이웃하는 제2 게이트 간에는 상기 제2 소스 또는 제2 드레인을 공유하는 멀티 트랜지스터
|
